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レーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成法及び装置

国内特許コード P07A013050
掲載日 2008年1月25日
出願番号 特願2001-046866
公開番号 特開2002-249869
登録番号 特許第3820443号
出願日 平成13年2月22日(2001.2.22)
公開日 平成14年9月6日(2002.9.6)
登録日 平成18年6月30日(2006.6.30)
発明者
  • 大越 昌幸
  • 井上 成美
  • 倉松 雅章
出願人
  • 防衛装備庁長官
発明の名称 レーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成法及び装置
発明の概要 【課題】 透明度の高い良質のSiO膜を室温でレーザーアブレーションを利用して形成する。
【解決手段】 減圧された酸素ガス雰囲気の成膜容器1内にSi-O-Si結合を含む化合物のターゲット2及び該ターゲットに対向した基板3を配し、前記成膜容器1に設けられた入射窓4を通してレーザー光を前記ターゲット2に照射し、レーザーアブレーションを利用してSiO膜を室温で形成する。前記レーザー光の波長や照射エネルギー密度によってターゲットの開裂状態を制御でき、紫外可視透過性や電気絶縁性に優れたSiO膜を室温で成膜できる。
従来技術、競合技術の概要


SiO膜を形成する方法は枚挙にいとまがないが、主に高温の電気炉内にケイ素基板を設置し酸素ガスや水蒸気等の雰囲気で熱酸化させる方法と、加熱した基板上に反応ガスの分解によって膜形成する方法とに大別される。

産業上の利用分野


本発明は、レーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成に係り、とくにシリコーン等のシロキサンを含む化合物から良質のSiO膜を室温で形成可能なレーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成法及び装置に関するものであり、従来困難とされてきた熱影響を受けやすい基板(高分子材料や生体材料、低融点材料、熱拡散しやすい材料等)への膜形成も可能となり、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。

特許請求の範囲 【請求項1】
Si-O-Si結合を含む化合物に紫外線乃至真空紫外線のレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上にSiO膜を形成することを特徴とするレーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成法。

【請求項2】
前記レーザー光の振動数をν、プランク定数をhとしたとき、hνが前記化合物における側鎖の結合エネルギーよりも大きい請求項1記載のレーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成法。

【請求項3】
前記レーザ光の照射エネルギー密度が1J/cm以上である請求項1又は2記載のレーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成法。

【請求項4】
前記化合物及び基板が、減圧された酸素ガス雰囲気でかつ常温の成膜容器内に配置されている請求項1,2又は3記載のレーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成法。

【請求項5】
酸素ガス圧が10-4Torr以上で10-1Torr以下である請求項4記載のレーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成法。

【請求項6】
減圧された酸素ガス雰囲気の成膜容器内にSi-O-Si結合を含む化合物のターゲット及び該ターゲットに対向した基体を配し、前記成膜容器に設けられた入射窓を通して紫外線乃至真空紫外線のレーザー光を前記ターゲットに照射することを特徴とするレーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成装置。

【請求項7】
前記レーザー光の振動数をν、プランク定数をhとしたとき、hνが前記化合物における側鎖の結合エネルギーよりも大きいことを特徴とする請求項6記載のレーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成装置。

【請求項8】
前記ターゲットを回転させる回転駆動手段が設けられている請求項6又は7記載のレーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成装置。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2001046866thum.jpg
出願権利状態 登録
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