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Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法

国内特許コード P07A013057
掲載日 2008年1月25日
出願番号 特願2003-064304
公開番号 特開2004-273869
登録番号 特許第3826194号
出願日 平成15年3月11日(2003.3.11)
公開日 平成16年9月30日(2004.9.30)
登録日 平成18年7月14日(2006.7.14)
発明者
  • 大越 昌幸
  • 井上 成美
  • 高尾 寛弘
出願人
  • 防衛装備庁長官
発明の名称 Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法
発明の概要 【課題】SiO光導波路を基にした光集積回路等を製作するために、任意の基体上に、炭素混入のない良質の酸化ケイ素膜を室温で形成可能とする。
【解決手段】真空容器1内にSi-O-Si結合を含む化合物として有機ポリシロキサン10を配置するとともに基体としてのケイ素基板20を配置し、波長200nm以下の光を含む光源30より有機ポリシロキサン10に光を照射するとともにケイ素基板20にも照射する。これにより、有機ポリシロキサン10の露光部分から気体(ガス状のケイ素化合物と酸素)が放出され、この気体を利用して前記光の照射を受けるケイ素基板20上に酸化ケイ素膜を化学蒸着する。
【選択図】 図1
従来技術、競合技術の概要


酸化ケイ素膜を形成する方法は枚挙にいとまがないが、主に高温の電気炉内にケイ素基板を設置し、酸素ガスや水蒸気等の雰囲気で熱酸化させる方法と、減圧容器内に導入された反応ガスを加熱した基板上で熱分解し膜形成する方法とに大別される。

産業上の利用分野


本発明は、フォトニクスを目的とした、Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法に係り、特にSi-O-Si結合を含む化合物(例、ポリシロキサン)を、波長200nm以下の光を含む光源により露光し、同化合物から放出される気体を利用して、酸化ケイ素膜を化学蒸着する膜形成法に関するものであり、従来困難とされてきた熱影響を受けやすい基板(高分子材料や生体材料、低融点材料、熱拡散しやすい材料等)への膜形成も可能となり、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。

特許請求の範囲 【請求項1】
減圧した容器内に設置したSi-O-Si結合を含む化合物を、波長200nm以下の光を含む光源によりレーザーアブレーションしきい値以下で露光し、前記化合物から放出される気体を利用して、前記光源の光路中に置かれた基体上に酸化ケイ素膜を化学蒸着することを特徴とする酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項2】
前記酸化ケイ素膜を、常温の前記基体上に形成する請求項1記載の酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項3】
前記光源の光をマスクを透過させて前記基体に照射して、前記酸化ケイ素膜を、前記基体上に所定のパターンに形成する請求項1又は2記載の酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項4】
前記基体が平板状基板であり、前記光源の光軸に対して傾斜乃至平行に設置されている請求項1,2又は3記載の酸化ケイ素膜の形成法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2003064304thum.jpg
出願権利状態 登録
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