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ニッケルシリサイド膜の作製方法 コモンズ

国内特許コード P07A013147
整理番号 K11420000
掲載日 2008年3月10日
出願番号 特願2003-042270
公開番号 特開2004-253606
登録番号 特許第4009719号
出願日 平成15年2月20日(2003.2.20)
公開日 平成16年9月9日(2004.9.9)
登録日 平成19年9月14日(2007.9.14)
発明者
  • 財満 鎭明
  • 酒井 朗
  • 中塚 理
  • 安田 幸夫
出願人
  • 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 ニッケルシリサイド膜の作製方法 コモンズ
発明の概要

【課題】低接触抵抗の金属/半導体接合を有する多層膜構造体を得る。
【解決手段】シリコン基板11上に、炭素及び所定の不純物(B、P、As、Sb、Ga、Alなど)を含むシリコン下地膜12を形成する。次いで、シリコン下地膜12上にニッケル膜13を形成して多層膜中間構造体10を作製する。次いで、多層膜中間構造体10に対して熱処理を行い、ニッケルシリサイド膜15を形成するとともに、残留したシリコン下地膜12とニッケルシリサイド膜15との界面を含む近傍領域に前記不純物を偏在させる。
【選択図】 図2

従来技術、競合技術の概要
大規模集積回路技術の実現のためには、金属/半導体界面の接触抵抗を低減させることが不可欠である。近年、ニッケルシリサイド膜は、その低抵抗、並びに平坦な界面及び平面を有することから上述した積層構造における金属電極層として注目を浴びている。前記ニッケルシリサイド膜は、例えばp型シリコン基板上にニッケル膜を蒸着などによって形成した後、前記p型シリコン基板及び前記ニッケル膜を含む積層体を所定温度に加熱することにより、前記シリコン基板中のシリコン元素と前記ニッケル膜中のニッケル元素とを相互に拡散させることによって形成する。
産業上の利用分野
本発明は、半導体デバイス工学などにおける金属/半導体接合を実現するニッケルシリサイド膜の作製方法に関し、さらには前記接合構造を有する多層膜構造体、並びにこの多層膜構造体を実現するための多層膜中間構造体に関する。
特許請求の範囲 【請求項1】 所定のシリコン基を準備する工程と、
前記シリコン基上に、所定の不純物および炭素を含有するシリコン下地膜を形成する工程と、前記シリコン下地膜上にニッケル膜を形成して、多層膜中間構造体を作製する工程と、
前記多層膜中間構造体に対して熱処理を施し、ニッケルシリサイド膜を形成する工程と、
を具え、前記不純物を前記シリコン下地膜と前記ニッケルシリサイド膜との界面に偏在させることを特徴とする、ニッケルシリサイド膜の作製方法。
【請求項2】 前記不純物は少なくとも前記シリコン下地膜の表層部分に含有させることを特徴とする、請求項1に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。
【請求項3】 前記不純物は前記シリコン下地膜の、厚さ方向において均一に含有させることを特徴とする、請求項に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。
【請求項4】前記炭素は、前記シリコン基中において0.001原子%から10原子%の割合で含有させることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。
【請求項5】前記シリコン下地膜は前記不純物および炭素に加えてさらにゲルマニウムを含有することを特徴とする、請求項1~4のいずれか一に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。
【請求項6】 前記ゲルマニウムの含有量が1原子%から50原子%であることを特徴とする、請求項5に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。
【請求項7】 前記ニッケルシリサイド膜はNiSi相及びNiSi相の少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項1~のいずれか一に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。
産業区分
  • 固体素子
  • 表面処理
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2003042270thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
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