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光学活性α-フルオロビス(フェニルスルホニル)メチル付加体の製造方法および光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体の製造方法 コモンズ 新技術説明会

国内特許コード P08P005784
掲載日 2008年9月26日
出願番号 特願2007-059608
公開番号 特開2008-222578
登録番号 特許第4910148号
出願日 平成19年3月9日(2007.3.9)
公開日 平成20年9月25日(2008.9.25)
登録日 平成24年1月27日(2012.1.27)
発明者
  • 柴田 哲男
  • 融 健
  • 水田 賢志
出願人
  • 学校法人名古屋工業大学
発明の名称 光学活性α-フルオロビス(フェニルスルホニル)メチル付加体の製造方法および光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体の製造方法 コモンズ 新技術説明会
発明の概要

【課題】光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体の効率良く製造する方法の提供。
【解決手段】溶媒中,塩基,光学活性な相間移動触媒存在下,α-アミドスルホン化合物とフルオロビススルホニルメタン化合物とを不整マンニッヒ型反応を行い、α-フルオロビス(フェニルスルホニル)メチル付加体を得た後,還元剤として金属存在下、脱スルホニル化することによりα-フルオロメチルアミン誘導体を高い光学純度で得ることを特徴とする製造法。
【選択図】なし

従来技術、競合技術の概要


光学活性α-フルオロメチルアミン類は医薬,農薬分野における重要な合成中間体である。ラセミ体のα-フルオロメチルアミン類の製造法としては,次に示す方法が挙げられる。(1)SF4/HFの存在下,アミノアルコール類のヒドロキシ基の選択的フッ素化法(非特許文献1)(2)Et4N+F-/HFの存在下,アセトニトリル中,電気酸化法を用いたアルキルベンゼン類のフッ素化法(非特許文献2)(3)アジリジン化合物とHF/ピリジンによるアジリジンのフッ素化-開環する方法(非特許文献3,4)(4)フルオロアセトニトリルから誘導したα-フルオロメチルアミン類の合成法(非特許文献5)(5)N-フルオロベンゼンスルホンイミドを用いたイミンの求電子的フッ素化する方法(非特許文献6)(6)アミノアルコール類をN,N-ジエチル-α,α-ジフルオロベンジルアミンで処理することにより脱酸素-フッ素化する方法(非特許文献7)一方,光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体の製造法においては,(7)α-フルオロアセトフェノンとp-アニシジンとで形成するイミンを光学活性りん酸触媒を用いたエチル Hantzsch エステルによる不斉還的アミノ化する方法(非特許文献8)(8)塩基存在下,(R)-(tert-ブタンスルフィニル)イミン化合物とフルオロメチルフェニルスルホンと反応し,フルオロアミン誘導体を脱スルホニル化することにより光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体を製造する方法(非特許文献9)などが報告されている。しかしながら,前記(7)の方法では含フッ素置換基を有するイミン化合物を入手する必要がある。さらに,前記(8)の方法ではジアステレオ選択的な反応を用いるので化学量論量の光学活性不斉補助基が必要である。エナンチオ選択的フルオロメチル化反応の報告例は依然としてなく,従来法において工業的に光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体を供給に問題がある。従って,工業的スケールで効率良く製造し得る一般式(4)に示される光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体の製造法が望まれていた。

【非特許文献1】J.Org.Chem.,40,3808(1975)

【非特許文献2】Tetrahedron Lett.,43,3799(1977)

【非特許文献3】J.Fluorine Chem.,16,526(1980)

【非特許文献4】J.Chem.Res.Synop.,6,210(1980)

【非特許文献5】J.Org.Chem.,51,2835(1986)

【非特許文献6】Org.Lett.,8,4767(2006)

【非特許文献7】Synlett,11,1744(2006)

【非特許文献8】J.Am.Chem.Soc.,128,84(2006)

【非特許文献9】Org.Lett.,8,1693(2006)

産業上の利用分野


本発明は光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体の製造法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】 [手続補正20111110]  溶媒中,塩基と光学活性な相間移動触媒存在下,一般式(1)  【化1】 (式中,Rは,置換もしくは未置換のアルキル基,アルケニル基,アラルキル基,アルキニル基,アリール基,アシル基,アルコキシカルボニル基またはアリールオキシカルボニル基を示す。Rは,置換もしくは未置換のアルキル基,アルケニル基,アラルキル基,アルキニル基,アリール基,アシル基,アルコキシカルボニル基またはアリールオキシカルボニル基を示す。Rは,置換もしくは未置換のアルキル基,アルケニル基,アラルキル基,アルキニル基またはアリール基を示す。)で表されるα-アミドスルホン化合物を一般式(2)  【化2】 (式中,R,Rはそれぞれ独立に,置換もしくは未置換のアルキル基,アルケニル基,アラルキル基,アルキニル基またはアリール基を示す。さらに,RおよびRが一体となって,環状構造の一部を形成してもよい。)で示されるフルオロビススルホニルメタン類不斉マンニッヒ型反応させることを特徴とする一般式(3)  【化3】 (式中,R,R,R,Rは前記定義に同じ。)で示される光学活性α-フルオロビス(フェニルスルホニル)メチル付加体の製造法。
【請求項2】 [手続補正20111110]  般式(3)(式中,Rは,置換もしくは未置換のアルキル基,アルケニル基,アラルキル基,アルキニル基,アリール基,アシル基,アルコキシカルボニル基またはアリールオキシカルボニル基を示す。Rは,置換もしくは未置換のアルキル基,アルケニル基,アラルキル基,アルキニル基,アリール基,アシル基,アルコキシカルボニル基またはアリールオキシカルボニル基を示す。R,Rはそれぞれ独立に,置換もしくは未置換のアルキル基,アルケニル基,アラルキル基,アルキニル基またはアリール基を示す。さらに,RおよびRが一体となって,環状構造の一部を形成してもよい。)で表される光学活性α-フルオロビス(フェニルスルホニル)メチル付加体を溶媒中,還元剤として金属の存在下,脱スルホニル化させることを特徴とする一般式(4)  【化4】(式中,R,Rは前記定義に同じ。)で示される光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体の製造法。
【請求項3】 [手続補正20111110]  前記塩基は,トリエチルアミン,ジイソプロピルエチルアミン,ジメチルアミノピリジン,キヌクリジン,DBU,DABCOもしくは一般式(5)(X)nM (5)(式中,Mは,希土類を含む遷移金属,リチウム,ナトリウム,マグネシウム,アルミニウムから選ばれた元素,nは,Mの原子価と同数の整数を表す。Xはアルコシド,フルオリド,カルボネートのマイナスイオンを表す。)で表される無機塩から選ばれる少なくとも1種類の塩基であることを特徴とする請求項1に記載の光学活性α-フルオロビス(フェニルスルホニル)メチル付加体の製造法。
【請求項4】 [手続補正20111110]  前記光学活性な相間移動触媒は,一般式(6)または(7)  【化5】(式中,Rは水素,置換もしくは未置換のアルキル基もしくはアルコキシ基を示す。もしくはOR10で表されるR10はアルキル基を示す。Rは,エチル基もしくはビニル基を示す。Rは,水素,アルキル基,アリール基またはアシル基を示す。Rは,水素,置換もしくは未置換のアルキル基またはトリフルオロメチル基を示す。mは0~2の整数を表す。Xは,ハロゲン原子,IO,ClO,OTfまたはHSOを示す。)で表される光学活性4級アンモニウム塩類から選ばれる少なくとも1種類の塩であることを特徴とする請求項1に記載の光学活性α-フルオロビス(フェニルスルホニル)メチル付加体の製造法。
【請求項5】 [手続補正20111110]  前記溶媒が,N,N-ジメチルホルムアミド,ジメチルスルホキシド,クロロホルム,ジクロロメタン,ジクロロエタン,トルエン,テトラヒドロフラン,ヘキサン,ベンゼンからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項に記載の光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体の製造法。
【請求項6】 [手続補正20111110]  前記金属は,希土類を含む遷移金属リチウム,ナトリウム,マグネシウム,アルミニウム,亜鉛,スズ,インジウム,サマリウムら選ばれる少なくとも1種類の元素であることを特徴とする請求項2に記載の光学活性α-フルオロメチルアミン誘導体の製造法。
産業区分
  • 有機化合物
  • その他無機化学
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中
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