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NaCl型炭化ケイ素の製造方法

国内特許コード P08A013775
掲載日 2008年10月7日
出願番号 特願2005-337667
公開番号 特開2007-137751
登録番号 特許第5110496号
出願日 平成17年11月22日(2005.11.22)
公開日 平成19年6月7日(2007.6.7)
登録日 平成24年10月19日(2012.10.19)
発明者
  • 野田 哲二
  • 荒木 弘
  • 鈴木 裕
出願人
  • 独立行政法人物質・材料研究機構
発明の名称 NaCl型炭化ケイ素の製造方法
発明の概要

【課題】 NaCl型炭化ケイ素を容易に製造すること。
【解決手段】 孔径が0μmより大きく1μm以下で柱状の細孔1が形成された中空体2の細孔内にクロロシラン3を1Torr~100Torrの減圧下で流通させ、900℃~1300℃の温度で熱分解させて、中空体の内壁にNaCl型炭化ケイ素を生成させる。
【選択図】 図1

従来技術、競合技術の概要


炭化ケイ素(SiC)は、高温半導体、フォトニック材料、研磨剤、さらに構造用材料として応用されている。



従来知られている炭化ケイ素は、3C立方晶型(格子定数0.436nm)や、4H、6H、15R等の六方晶型である。最近、ダイヤモンド粉にシリコン(Si)を混ぜ、2500℃、6GPaの高温高圧下で、高密度のNaCl型炭化ケイ素(格子定数0.408nm)を合成できることが報告されている(非特許文献1)。

【非特許文献1】B.Yao et al., J. Mater. Scie. Lett., 14, (1995), 931-933

産業上の利用分野


本発明は、高密度のNaCl型炭化ケイ素を容易に製造することのできるNaCl型炭化ケイ素の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
孔径が0μmより大きく1μm以下で柱状の細孔が形成された中空体の細孔内にトリクロロメチルシランを1Torr~100Torrの減圧下で流通させ、900℃~1300℃の温度で熱分解させて、中空体の内壁にNaCl型炭化ケイ素を生成させることを特徴とするNaCl型炭化ケイ素の製造方法。
産業区分
  • 無機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2005337667thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
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