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超伝導MgB2膜の電気メッキによる作製法

国内特許コード P08A013776
掲載日 2008年10月7日
出願番号 特願2005-337721
公開番号 特開2007-141793
登録番号 特許第4811998号
出願日 平成17年11月22日(2005.11.22)
公開日 平成19年6月7日(2007.6.7)
登録日 平成23年9月2日(2011.9.2)
発明者
  • 阿部 英樹
  • 今井 基晴
  • 銭谷 勇磁
  • 柴山 功
  • 秋光 純
出願人
  • 独立行政法人物質・材料研究機構
発明の名称 超伝導MgB2膜の電気メッキによる作製法
発明の概要

【課題】臨界電流密度(J)を従来製品に比べ飛躍的に向上させることのできる超伝導MgB膜の電気メッキによる作製法を提供すること。
【解決手段】Mg(マグネシウム)とB(ホウ素)を含む加熱溶融したメッキ浴に、Mg(OH)(水酸化マグネシウム)が、メッキ浴に含まれるMgのモル比を1とした時、0.015~0.020のモル比で添加され、メッキ浴に導電体基板を陰極として挿入し、陽極との間に直流電圧をかけ、導電体基板上にMgB(二ホウ化マグネシウム)膜を形成させる。
【選択図】図1

従来技術、競合技術の概要


MgB(二ホウ化マグネシウム)は、金属間化合物では最高の超伝導遷移温度T=39Kを示すことから、従来超伝導材料として広く実用化されてきたA15型金属間化合物(T=15K程度)に換わる新たな超伝導材料として電力への応用が期待されている。



これまでに超伝導MgBの作製技術として、電気メッキにより導電体表面へMgB膜を常圧合成する「MgB電気メッキ法」が確立されている(特許文献1-4)。

【特許文献1】特開2002-321911号公報

【特許文献2】特開2003-238144号公報

【特許文献3】特開2004-10389号公報

【特許文献4】特開2004-10390号公報

産業上の利用分野


本願発明は、高臨界電流密度を示す超伝導MgB膜の電気メッキによる作製法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
MgCl(塩化マグネシウム)、KCl(塩化カリウム)、NaCl(塩化ナトリウム)、MgB(ホウ酸マグネシウム)を混合し、加熱溶融したメッキ浴に、Mg(OH)(水酸化マグネシウム)が、メッキ浴に含まれるMgのモル比を1とした時、0.015~0.020のモル比で添加され、メッキ浴に導電体基板を陰極として挿入し、陽極との間に直流電圧をかけ、導電体基板上にMgB(二ホウ化マグネシウム)膜を形成させることを特徴とする超伝導MgB膜の電気メッキによる作製法。

【請求項2】
導電性基板の素材が鉄またはステンレスである請求項1記載の超伝導MgB膜の電気メッキによる作製法。
産業区分
  • 電線ケーブル
  • 表面処理
  • 無機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2005337721thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
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