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単結晶粒子が配向された構造体の製造方法における配向角度の制御方法 新技術説明会

国内特許コード P08A013814
掲載日 2008年10月7日
出願番号 特願2006-276451
公開番号 特開2007-055261
登録番号 特許第4635189号
出願日 平成18年10月10日(2006.10.10)
公開日 平成19年3月8日(2007.3.8)
登録日 平成22年12月3日(2010.12.3)
優先権データ
  • 特願2002-237617 (2002.8.16) JP
発明者
  • 打越 哲郎
  • 鈴木 達
  • 奥山 秀男
  • 目 義雄
出願人
  • 独立行政法人物質・材料研究機構
発明の名称 単結晶粒子が配向された構造体の製造方法における配向角度の制御方法 新技術説明会
発明の概要

【課題】セラミックス構造体を製造する場合にその単結晶の配向方位を所望の方向に設定できるようにする方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明の配向角度の制御方法は、帯電させたセラミックス単結晶粒子のサスペンションに磁場を印加することにより単結晶粒子を配向させ、電極基板もしくはその上のセラミックス単結晶粒子を層状に堆積させるセラミック構造体の製造方法における配向角度の制御方法であって、磁場を印加した状態でサスペンションに電場を印加し、帯電したセラミックス単結晶粒子を電気泳動させるにあたり、前記磁場方向に対する電極基板の傾斜角度(電場方向)を所望の角度に設定することを特徴とする。
【選択図】 図8

特許請求の範囲 【請求項1】
帯電させたセラミックス単結晶粒子のサスペンションに磁場を印加することにより単結晶粒子を配向させ、電極基板もしくはその上のセラミックス単結晶粒子層上に堆積させ、層毎に結晶方位が異なるセラミックス積層構造体の製造方法における配向角度の制御方法であって磁場を印加した状態でサスペンションに電場を印加し、帯電したセラミックス単結晶粒子を電気泳動させるにあたり、前記電極基板と電場の方向とを一定にして、前記磁場に対する電極基板の傾斜角度を所望の角度に設定することを特徴とする配向角度の制御方法。

産業区分
  • 窯業
国際特許分類(IPC)
画像

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出願権利状態 権利存続中
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