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パラジウム金属多孔質粒子の製造方法 コモンズ

国内特許コード P08A013963
整理番号 P05-019
掲載日 2008年10月31日
出願番号 特願2005-039806
公開番号 特開2006-225704
登録番号 特許第4415150号
出願日 平成17年2月16日(2005.2.16)
公開日 平成18年8月31日(2006.8.31)
登録日 平成21年12月4日(2009.12.4)
発明者
  • 長谷川 和幸
  • 服部 義之
  • 加納 博文
  • 金子 克美
出願人
  • 学校法人千葉大学
発明の名称 パラジウム金属多孔質粒子の製造方法 コモンズ
発明の概要

【課題】
より高効率なパラジウム金属多孔質粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
ポリビニルアルコール又はポリビニルアルコール誘導体からなる乾燥フィルムにパラジウム化合物を分散吸着させる工程、加熱によりパラジウム化合物が分散吸着した乾燥フィルムを消失させる工程、を有するパラジウム金属多孔質粒子の製造方法とする。
【選択図】図1

特許請求の範囲 【請求項1】
ポリビニルアルコール又はポリビニルアルコール誘導体からなる乾燥フィルムにパラジウム化合物を分散吸着させ、前記ポリビニルアルコール又は前記ポリビニルアルコール誘導体のヒドロキシル基によって前記パラジウム化合物におけるパラジウムイオンをパラジウム金属に還元させる工程、
加熱により前記乾燥フィルムを消失させる工程、を有するパラジウム金属多孔質粒子の製造方法。

【請求項2】
前記加熱により前記乾燥フィルムを消失させる工程は、還元性又は非酸化性の雰囲気で行われることを特徴とする請求項1記載のパラジウム金属多孔質粒子の製造方法。

【請求項3】
前記乾燥フィルムにおける前記ポリビニルアルコール又は前記ポリビニルアルコール誘導体は、鹸化度が60%以上であり、更に、数平均分子量が500以上20000以下であることを特徴とする請求項1記載のパラジウム金属多孔質粒子の製造方法。

【請求項4】
前記乾燥フィルムにおける前記ポリビニルアルコール又は前記ポリビニルアルコール誘導体は、側鎖官能基の60%以上がヒドロキシル基であることを特徴とする請求項1記載のパラジウム金属多孔質粒子の製造方法。

【請求項5】
前記パラジウム化合物は、有機酸塩又は無機酸塩の少なくとも1種以上を含んでなることを特徴とする請求項1記載のパラジウム多孔質金属体の製造方法。

【請求項6】
前記加熱により前記乾燥フィルムを消失させる工程は、400℃以上900℃以下の範囲内の温度で行うことを特徴とする請求項1記載の製造方法。
産業区分
  • 加工
  • その他無機化学
  • 高分子化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2005039806thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
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