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真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 UPDATE

国内特許コード P08A014141
掲載日 2008年12月19日
出願番号 特願2003-064586
公開番号 特開2004-272049
登録番号 特許第3950967号
出願日 平成15年3月11日(2003.3.11)
公開日 平成16年9月30日(2004.9.30)
登録日 平成19年5月11日(2007.5.11)
発明者
  • 大越 昌幸
  • 井上 成美
  • 高尾 寛弘
出願人
  • 防衛装備庁長官
発明の名称 真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法 UPDATE
発明の概要 【課題】Si-O-Si結合を含む固体化合物の薄膜化を図り、並びに薄膜化したSi-O-Si結合を含む固体化合物の微細パターン形成を行う。
【解決手段】成膜チャンバー容器1内にSi-O-Si結合を含む化合物をターゲット10として設置し、その表面にレーザー光を低エネルギー密度で照射しアブレーションを行う。ターゲット10と対向した基板20上には、ターゲット組成と同一の膜が形成する。また、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜に真空紫外レーザー光を照射することにより、露光部分のみ酸化ケイ素(SiO)に改質される。したがって、化学薬品の種類を選択することにより、露光部あるいは未露光部のみを化学エッチングでき、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜あるいは酸化ケイ素膜の微細パターンが形成できる。
【選択図】 図1
従来技術、競合技術の概要


従来、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜は、一部の種類において溶液のスピンコート法により形成されている。しかし、膜厚1μm以下の薄膜領域では、膜厚の精密な制御が困難である。また、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜の微細パターン形成は、露光光源に合わせた新規のSi-O-Si結合を含む固体化合物膜を開発し、リソグラフィー技術を利用して行う必要がある。

産業上の利用分野


本発明は、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法に係り、とくにSi-O-Si結合を含む固体化合物膜への真空紫外光照射による酸化ケイ素への改質方法、その後のエッチングとを組み合わせたパターン形成方法に関するものであり、従来困難とされてきたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜あるいは酸化ケイ素膜の微細パターン形成が可能となる。これらの結果は、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜が、次世代のFレーザーリソグラフィー用レジストとして適用可能になる等、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。

特許請求の範囲 【請求項1】
Si-O-Si結合を含む固体化合物のターゲットに、前記ターゲットのアブレーションしきい値以上で90mJ/cm未満の低い照射エネルギー密度のレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上に前記ターゲットと同一組成の固体化合物膜を形成し、前記同一組成の固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを、光の吸収係数の低い二酸化ケイ素に改質することを特徴とする真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法。

【請求項2】
Si-O-Si結合を含む固体化合物のターゲットに、前記ターゲットのアブレーションしきい値以上で90mJ/cm未満の低い照射エネルギー密度のレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上に前記ターゲットと同一組成の固体化合物膜を形成し、前記同一組成の固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを、光の吸収係数の低い二酸化ケイ素に改質し、前記ターゲットと同一組成の固体化合物膜の光吸収係数に制限されずに当該二酸化ケイ素への改質部を透過させて前記波長200nm以下の光をより深く侵入させることを特徴とする真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法。

【請求項3】
Si-O-Si結合を含む固体化合物のターゲットに、前記ターゲットのアブレーションしきい値以上で90mJ/cm未満の低い照射エネルギー密度のレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上に前記ターゲットと同一組成の固体化合物膜を形成し、前記同一組成の固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを、光の吸収係数の低い二酸化ケイ素に改質した後、改質部あるいは未改質部いずれかを化学的あるいは物理的にエッチングして、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜あるいは二酸化ケイ素膜のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 登録
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