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光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法

国内特許コード P08A014143
掲載日 2008年12月19日
出願番号 特願2004-014439
公開番号 特開2005-206873
登録番号 特許第3947791号
出願日 平成16年1月22日(2004.1.22)
公開日 平成17年8月4日(2005.8.4)
登録日 平成19年4月27日(2007.4.27)
発明者
  • 大越 昌幸
  • 井上 成美
  • 高尾 寛弘
出願人
  • 防衛装備庁長官
発明の名称 光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法
発明の概要 【課題】 電子デバイスの絶縁材料や光学材料として優れた性能を有するフッ素添加酸化ケイ素膜を、外部から気体を導入することなく、室温で任意の基板上に形成可能とする。
【解決手段】 真空容器1内にSi-O-Si結合を含む化合物として有機ポリシロキサン10とC-F結合を含む化合物としてポリテトラフルオロエチレン11を配置するとともに基体としてのケイ素基板20を配置し、波長170nm以下の光を含む光源30より有機ポリシロキサン10及びポリテトラフルオロエチレン11に光を照射するとともにケイ素基板20にも照射する。これにより、有機ポリシロキサン10とポリテトラフルオロエチレン11の露光部分から気体が放出され、この気体を利用して前記光の照射を受けるケイ素基板20上にフッ素添加酸化ケイ素膜を化学蒸着する。
【選択図】 図1
従来技術、競合技術の概要


フッ素添加酸化ケイ素膜を形成する方法は、主に減圧容器内に種々の反応ガスを外部から導入し、加熱した基板上で熱分解させ膜形成する。



従来の方法では、フッ素添加酸化ケイ素膜形成のために高温を必要とするため、その基体使用に制限があった。つまり、熱影響を受けやすい基体(高分子材料や生体材料、低融点材料、熱拡散しやすい材料等)への膜形成は困難であった。また基板の加熱とともに多くのガス供給路を確保する必要があり、装置が複雑であった。さらに、任意のパターンに膜形成を行うためには、化学的あるいは物理的エッチングの工程を必要としていた。

産業上の利用分野


本発明は、電子デバイス用絶縁材料やフォトニクスを目的とした、Si-O-Si結合を含む化合物とC-F結合を含む化合物への光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法に係り、特にSi-O-Si結合を含む化合物(例、ポリシロキサン)とC-F結合[例、テフロン(商品名)]を含む化合物を、波長170nm以下の光を含む光源により露光し、同化合物から放出される気体を利用して、フッ素添加酸化ケイ素膜を化学蒸着する膜形成法に関するものであり、従来困難とされてきた熱影響を受けやすい基板(高分子材料や生体材料、低融点材料、熱拡散しやすい材料等)への膜形成も可能となり、また気体を外部から導入する必要がないことから、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。

特許請求の範囲 【請求項1】
減圧した容器内に設置したSi-O-Si結合を含む化合物とC-F結合を含む化合物を、波長170nm以下の光を含む光源により露光するとともに、基体に前記光源又は別の光源からの波長170nm以下の光を照射し、前記化合物から放出される気体を利用して、フッ素が添加された酸化ケイ素膜を前記基体上に化学蒸着することを特徴とするフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項2】
前記フッ素添加酸化ケイ素膜を、常温の任意の前記基体上に形成する請求項1記載のフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項3】
前記フッ素添加酸化ケイ素膜を、所定のパターンに形成する請求項1又は2記載のフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項4】
前記フッ素添加酸化ケイ素膜を、外部から気体を供給することなく形成する請求項1,2又は3記載のフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項5】
前記化合物を露光する光エネルギー密度及び前記基体に照射する光エネルギー密度の両方を変化させることで、屈折率の異なる前記フッ素添加酸化ケイ素膜を形成する請求項1,2,3又は4記載のフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項6】
前記化合物を露光する光エネルギー密度及び前記基体に照射する光エネルギー密度の両方を変化させることで、誘電率の異なる前記フッ素添加酸化ケイ素膜を形成する請求項1,2,3又は4記載のフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2004014439thum.jpg
出願権利状態 登録
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