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グラフェンシートの製造方法 コモンズ 新技術説明会

国内特許コード P08P006561
掲載日 2009年3月27日
出願番号 特願2007-233535
公開番号 特開2009-062247
登録番号 特許第5137066号
出願日 平成19年9月10日(2007.9.10)
公開日 平成21年3月26日(2009.3.26)
登録日 平成24年11月22日(2012.11.22)
発明者
  • 橋本 明弘
  • 田中 悟
出願人
  • 国立大学法人福井大学
発明の名称 グラフェンシートの製造方法 コモンズ 新技術説明会
発明の概要

【課題】 大面積のグラフェンシートを簡単に製造できる方法を提供する。
【解決手段】 耐熱性の作業基板を準備する工程と、グラフェンシートを構成する炭素の結晶構造と同様の結晶構造の炭素を含有するグラフェンシート形成面を、形成しようとするグラフェンシートの面積に応じた寸法で前記作業基板上の所定位置に位置決めする工程と、前記グラフェンシート形成面に、形成されたグラフェンシートの丸まりを阻止するCNT化阻止処理を施す工程と、前記グラフェンシート形成面を真空中又は所定のガス雰囲気中で加熱し、前記グラフェンシート形成面を構成する炭素以外の他の成分を除去する工程とを有し、前記加熱時間と前記加熱温度とを制御することで、前記グラフェンシート形成面に少なくとも一層のグラフェンシートを形成した。
【選択図】 図1

従来技術、競合技術の概要


グラフェンシートは、種々の優れた電気的、機械的及び熱的特性を有するため、エレクトロニクス分野や燃料電池の分野をはじめとして、広範な分野での利用が期待されている。このようなグラフェンシートは、粘着テープ等を使ってグラファイトの表面から剥ぎ取ることで得ていた(例えば、非特許文献1参照)。

【非特許文献1】Electric Field Effect inAtomically Thin Carbon Films(K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov p.666-669、特にp667の左欄2段落目参照)

産業上の利用分野


本発明は、グラフェンシートの製造方法、特に、大面積のグラフェンシートの製造が可能な方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
耐熱性の作業基板を準備する工程と、
六方晶系結晶構造を有するSiCのグラフェンシート形成面を、形成しようとするグラフェンシートの面積に応じた寸法で前記作業基板上の所定位置に位置決めする工程と、
前記グラフェンシート形成面を4°を越え13°以下のオフ角を有するように形成して前記グラフェンシートの丸まりを阻止するCNT化阻止処理を施す工程と、
前記グラフェンシート形成面を真空中又は所定のガス雰囲気中で加熱し、前記グラフェンシート形成面を構成する炭素以外の他の成分を除去する工程と、
を有し、前記加熱時間と前記加熱温度とを制御することで、前記グラフェンシート形成面に少なくとも一層のグラフェンシートを形成すること、
を特徴とするグラフェンシートの製造方法。

【請求項2】
前記CNT化阻止処理が、水素雰囲気中で前記グラフェンシート形成面を加熱してなるステップバンチングであることを特徴とする請求項に記載のグラフェンシートの製造方法。

【請求項3】
不活性ガスの雰囲気中で前記グラフェンシート形成面を加熱することを特徴とする請求項1又は2に記載のグラフェンシートの製造方法。

【請求項4】
前記グラフェンシート形成面の一部に耐熱性のマスキングを施し、加熱して前記他の成分を除去した後、前記マスキングを除去することを特徴とする請求項1~のいずれかに記載のグラフェンシートの製造方法。

【請求項5】
表面を活性化させた転写用基板又は表面に転写剤を塗布した転写用基板を準備し、この転写用基板を前記グラフェンシート形成面に押し付け、前記グラフェンシート形成面から前記転写用基板に少なくとも一層のグラフェンシートを転写することを特徴とする請求項1~のいずれかに記載のグラフェンシートの製造方法。
産業区分
  • 無機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2007233535thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
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