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メモリ素子 コモンズ

国内特許コード P09P006054
整理番号 N032P38
掲載日 2009年6月12日
出願番号 特願2007-302201
公開番号 特開2009-130062
登録番号 特許第4674912号
出願日 平成19年11月21日(2007.11.21)
公開日 平成21年6月11日(2009.6.11)
登録日 平成23年2月4日(2011.2.4)
発明者
  • 春山 純志
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 メモリ素子 コモンズ
発明の概要 【課題】カーボンナノピーポッドを用いたメモリ素子の提供。
【解決手段】メモリ素子1は、フラーレン分子を内包した単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノピーポッド13を有し、前記カーボンナノピーポッド13が、バックゲート電極11上に積層された絶縁層121上に載置されると共に、所定の距離離間して設けられたソース電極14a及びドレイン電極14bに接続され、前記フラーレン分子が、メモリ情報を保持するメモリセルとなるように構成されている。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要


メモリ素子としては、揮発性メモリであるダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)や不揮発性メモリである磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)がある。MRAMの利点は、不揮発性であることと共に、DRAMに比べてエネルギー消費が少なくまた読取りおよび書込み速度が大きいことである。MRAMの欠点としては、MRAMセルの寸法が小さくなるほど自由層の磁化を切り換えるのに必要な磁界が大きくなること、即ち素子の電力消費が大きくなることである。



また、近年、新規材料として高い注目を集めているカーボンナノチューブをチャネルに用いた不揮発性メモリ素子が知られている(例えば、特許文献1参照)。



【特許文献1】
特開2006-210910号公報(請求項1、請求項11等)

産業上の利用分野


本発明はメモリ素子に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
フラーレン分子を内包した単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノピーポッドを有するメモリ素子であって、
前記カーボンナノピーポッドが、2本以上50本以下のバンドル状のカーボンナノピーポッドであり、バックゲート電極上に積層された絶縁層上に載置されると共に、500nm~1000nm離間して設けられたソース電極及びドレイン電極に接続され、
前記ソース電極及びドレイン電極と、カーボンナノピーポッドとの間の界面抵抗が25.6kΩより大きく1MΩ以下であり、
前記カーボンナノピーポッドには、前記バックゲート電極から1~5V印加することにより内包された前記フラーレン分子に単一電子が注入されると共に、前記フラーレン分子が、注入された単一電子を保持することでメモリ情報を保持するメモリセルとなるように構成されたことを特徴とするメモリ素子。

【請求項2】
前記カーボンナノピーポッドの単層カーボンナノチューブが、金属的伝導を示すものであることを特徴とする請求項1記載のメモリ素子。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2007302201thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 高度情報処理・通信の実現に向けたナノ構造体材料の制御と利用 領域
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