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ホスホン酸ジエステル誘導体およびその製造方法 新技術説明会

国内特許コード P09S000211
掲載日 2009年6月26日
出願番号 特願2007-549163
登録番号 特許第5082102号
出願日 平成18年11月30日(2006.11.30)
登録日 平成24年9月14日(2012.9.14)
国際出願番号 JP2006324412
国際公開番号 WO2007066705
国際出願日 平成18年11月30日(2006.11.30)
国際公開日 平成19年6月14日(2007.6.14)
優先権データ
  • 特願2005-354121 (2005.12.7) JP
  • 特願2006-188282 (2006.7.7) JP
発明者
  • 平竹 潤
  • 坂田 完三
  • 韓 立友
出願人
  • 国立大学法人京都大学
発明の名称 ホスホン酸ジエステル誘導体およびその製造方法 新技術説明会
発明の概要

一般式(1)

(式中、RおよびRの少なくともいずれか一方が脱離基を表す。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体である。

特許請求の範囲 【請求項1】 一般式(1)
【化学式1】
(式中、R1およびR2それぞれ独立して、一般式(2)または一般式(3)
【化学式2】
(式中、R3が置換基を有していてもよいアリール基、および置換基を有していてもよい複素環残基のいずれかであり、R4、R5および6のそれぞれが、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、および電子吸引基からなる群より選択される少なくとも1つの置換基であり、R4、R5およびR6の置換基のうち隣接する2つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。)を表し、
前記電子吸引基が、ハロゲン原子、-COOR’、-CONR’2、-COR’、-OCOR’、-CF3、-CN、-SR’、-S(O)R’、-SO2R’、-SO2NR’2、-PO(OR’)2、および-NO2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R’が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表す。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項2】 一般式(1)
【化学式3】
(式中、R1がOR10であり、R2がOR11であり、10が、置換基を有していてもよいアルキル基、および置換基を有していてもよいアリール基のいずれかであり、R11が、置換基を有していてもよいアリール基である。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項3】 前記置換基を有していてもよいアルキル基の置換基が、置換基を有していてもよいフェニル基、窒素を有する複素環残基、アルキルスルファニル基、アリールスルファニル基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アミノ基、グアニジノ基、アルコキシ基、アミド基、カルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、
前記カルボキシ基およびカルボキシ基の等価体が、-COOR、-CONR2、-COR、-CN、-NO2、-NHCOR、-OR、-SR、-OCOR、-SO3R、および-SO2NR2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、Rが水素原子およびアルキル基のいずれかである、請求項記載のホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項4】 前記R10の置換基を有していてもよいアルキル基が、一般式(7)
【化学式4】
(式中、R12が、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、および水素原子のいずれかを表し、R13が、水素原子、および一般式(8)
【化学式5】
(式中、n1が0-4の整数を、n2が0および1のいずれかを、n3が0-4の整数を、X1がアミド基およびアルケニル基のいずれかを、X2がカルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体のいずれかを、R14が水素原子、メチル基およびエチル基のいずれかを表す。)のいずれかを表す。)であり、
前記カルボキシ基およびカルボキシ基の等価体が、-COOR、-CONR2、-COR、-CN、-NO2、-NHCOR、-OR、-SR、-OCOR、-SO3R、および-SO2NR2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、Rが水素原子およびアルキル基のいずれかである、請求項記載のホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項5】 前記R12の置換基を有していてもよいアルキル基の置換基が、置換基を有していてもよいフェニル基、窒素を有する複素環残基、アルキルスルファニル基、アリールスルファニル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、カルバモイル基、アミノ基、グアニジノ基、アルコキシ基、およびアミド基からなる群より選択される少なくとも1つの基である、請求項記載のホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項6】 前記置換基を有していてもよいアリール基の置換基が、カルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体のいずれかにより置換されていてもよいアルキル基、電子吸引基、カルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、
前記電子吸引基が、ハロゲン原子、-COOR’、-CONR’2、-COR’、-OCOR’、-CF3、-CN、-SR’、-S(O)R’、-SO2R’、-SO2NR’2、-PO(OR’)2、および-NO2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R’が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表し、
前記カルボキシ基およびカルボキシ基の等価体が、-COOR”、-CONR”2、-COR”、-CN、-NO2、-NHCOR”、-OR”、-SR”、-OCOR”、-SO3R”、および-SO2NR” 2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R”が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかである、請求項記載のホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項7】 前記置換基を有してもよいアリール基が、置換基を有してもよいフェニル基である、請求項記載のホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項8】 前記置換基を有してもよいフェニル基が、一般式(9)
【化学式6】
(式中、Y1が、-R’、-OR’、および電子吸引基からなる群より選択される1つの基を表し、Y2が、カルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体のいずれかで置換されていてもよく、かつ二重結合を有していてもよいアルキル基、水素原子、カルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体からなる群より選択される1つの基を表し、隣接する2つの置換基Y1とY2とが互いに結合して環を形成してもよく、R’が、水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表す。)であり、
前記電子吸引基が、ハロゲン原子、-COOR’、-CONR’2、-COR’、-OCOR’、-CF3、-CN、-SR’、-S(O)R’、-SO2R’、-SO2NR’2、-PO(OR’)2、および-NO2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R’が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表し、
前記カルボキシ基およびカルボキシ基の等価体が、-COOR”、-CONR”2、-COR”、-CN、-NO2、-NHCOR”、-OR”、-SR”、-OCOR”、-SO3R”、および-SO2NR” 2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R”が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかである、請求項記載のホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項9】 一般式(10)
【化学式7】
(式中、R12が置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、および水素原子のいずれかを表し、R14が水素原子、メチル基およびエチル基のいずれかを表し、X2がカルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体のいずれかを表し、Y1が-R’、-OR’、および電子吸引基からなる群より選択される1つの基を表し、R’が、水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表し、およびn3が0-4の整数を表し、
前記カルボキシ基およびカルボキシ基の等価体が、-COOR、-CONR2、-COR、-CN、-NO2、-NHCOR、-OR、-SR、-OCOR、-SO3R、および-SO2NR2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、Rが水素原子およびアルキル基のいずれかであり、
前記電子吸引基が、ハロゲン原子、-COOR’、-CONR’2、-COR’、-OCOR’、-CF3、-CN、-SR’、-S(O)R’、-SO2R’、-SO2NR’2、-PO(OR’)2、および-NO2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R’が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表す。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項10】 一般式(11)
【化学式8】
(式中、R12が置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、および水素原子のいずれかを表し、R14が水素原子、メチル基およびエチル基のいずれかを表し、X2がカルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体のいずれかを表し、Y1が-R’、-OR’、および電子吸引基からなる群より選択される1つの基を表し、R’が、水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表し、n1が0-4の整数を表し、およびn30-4の整数表し、
前記カルボキシ基およびカルボキシ基の等価体が、-COOR、-CONR2、-COR、-CN、-NO2、-NHCOR、-OR、-SR、-OCOR、-SO3R、および-SO2NR2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、Rが水素原子およびアルキル基のいずれかであり、
前記電子吸引基が、ハロゲン原子、-COOR’、-CONR’2、-COR’、-OCOR’、-CF3、-CN、-SR’、-S(O)R’、-SO2R’、-SO2NR’2、-PO(OR’)2、および-NO2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R’が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表す。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項11】 一般式(12)
【化学式9】
(式中、R15、メチル基およびエチル基を表し、Wが、一般式(13)-一般式(16)
【化学式10】
のいずれかを表し、R16が、水素原子、メチル基およびエチル基のいずれかを表し、1が、-R’、-OR’、および電子吸引基からなる群より選択される1つの基を表し、Y2が、カルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体のいずれかで置換されていてもよく、かつ二重結合を有していてもよいアルキル基、水素原子、カルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体からなる群より選択される1つの基を表し、隣接する2つの置換基Y1とY2とが互いに結合して環を形成してもよく、R’が、水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表し、
前記電子吸引基が、ハロゲン原子、-COOR’、-CONR’2、-COR’、-OCOR’、-CF3、-CN、-SR’、-S(O)R’、-SO2R’、-SO2NR’2、-PO(OR’)2、および-NO2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R’が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表し、
前記カルボキシ基およびカルボキシ基の等価体が、-COOR”、-CONR”2、-COR”、-CN、-NO2、-NHCOR”、-OR”、-SR”、-OCOR”、-SO3R”、および-SO2NR” 2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R”が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表す。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項12】 一般式(17)
【化学式11】
(式中、R12が置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、および水素原子のいずれかを表し、1が、-R’、-OR’、および電子吸引基からなる群より選択される1つの基を表し、R’が、水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表し、
前記電子吸引基が、ハロゲン原子、-COOR’、-CONR’2、-COR’、-OCOR’、-CF3、-CN、-SR’、-S(O)R’、-SO2R’、-SO2NR’2、-PO(OR’)2、および-NO2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R’が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表す。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項13】 一般式(18)
【化学式12】
(式中、1が、-R’、-OR’、および電子吸引基からなる群より選択される1つの基を表し、Y2が、カルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体のいずれかで置換されていてもよく、かつ二重結合を有していてもよいアルキル基、水素原子、カルボキシ基、およびカルボキシ基の等価体からなる群より選択される1つの基を表し、隣接する2つの置換基Y1とY2とが互いに結合して環を形成してもよく、R’が、水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表し、
前記電子吸引基が、ハロゲン原子、-COOR’、-CONR’2、-COR’、-OCOR’、-CF3、-CN、-SR’、-S(O)R’、-SO2R’、-SO2NR’2、-PO(OR’)2、および-NO2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R’が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表し、
前記カルボキシ基およびカルボキシ基の等価体が、-COOR”、-CONR”2、-COR”、-CN、-NO2、-NHCOR”、-OR”、-SR”、-OCOR”、-SO3R”、および-SO2NR” 2からなる群より選択される少なくとも1つの基であり、R”が水素原子、および二重結合を有してもよいアルキル基のいずれかを表す。)で示される、ホスホン酸ジエステル誘導体。
【請求項14】 請求項1又は2記載の一般式(1)で示されるホスホン酸ジエステル誘導体を2-アミノ-4-ホスホノブタン酸から製造する過程において、
下記一般式(19)で示される2-置換アミノ-4-ホスホノブタン酸の金属塩を結晶として単離することを特徴とする、ホスホン酸ジエステル誘導体の製造方法。
【化学式13】
(式中、Mがアルカリ金属を表し、R17が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を含むアルコシキカルボニル基を表す。)
【請求項15】 請求項1又は2記載の一般式(1)で示されるホスホン酸ジエステル誘導体を2-アミノ-4-ホスホノブタン酸から製造する過程において、
下記一般式(20)で示される2-置換アミノ-4-ホスホノブタン酸エステルを結晶として単離することを特徴とする、ホスホン酸ジエステル誘導体の製造方法。
【化学式14】
(式中、R18が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、R17が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を含むアルコシキカルボニル基を表す。)
【請求項16】 前記一般式(20)で示される2-置換アミノ-4-ホスホノブタン酸エステルを結晶として単離する製造過程において、
エーテル系溶媒を用いることを特徴とする、請求項15記載のホスホン酸ジエステル誘導体の製造方法。
産業区分
  • 有機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中
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