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低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造 新技術説明会

国内特許コード P09P007131
掲載日 2009年12月11日
出願番号 特願2008-134348
公開番号 特開2009-283688
登録番号 特許第5082060号
出願日 平成20年5月22日(2008.5.22)
公開日 平成21年12月3日(2009.12.3)
登録日 平成24年9月14日(2012.9.14)
発明者
  • 大塚 寛治
  • 秋山 豊
  • 川口 利行
  • 田原 和時
出願人
  • 学校法人明星学苑
  • 信越ポリマー株式会社
発明の名称 低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造 新技術説明会
発明の概要

【課題】ループインダクタンスが理論的に0となるような、低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造を提供する。
【解決手段】絶縁シート10の表面に電源配線21およびグランド配線22を有する金属配線層20が設けられた積層シート1と、電源配線21およびグランド配線22を覆うように設けられた絶縁薄膜層31と、絶縁薄膜層31の表面に設けられた抵抗体層32とを有する低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造。
【選択図】図2

従来技術、競合技術の概要


従来の電子回路用高速大電力の電源やグランド線はそれぞれ幅広の独立配線またはべた状の配線を用いるものが大半である。
幅広の独立配線またはべた状の配線で電力を供給しようとするときは、大電流を流すことは比較的容易となるが、高周波特性が悪く、1GHz以上の瞬時スイッチ動作に対して電力供給遅延が起こるだけでなく、その回復過程で電源、グランドの揺らぎが発生し、隣接回路にまで影響を及ぼす。さらにはこの揺らぎが電源配線、グランド配線の共振を誘発し、電磁放射の原因となることがよく知られた問題となっている。その間題点の尺度として電源・グランドのループ回路に起因するインダクタ成分の大きさ(以下、ループインダクタンスと記す。)として表現し、1GHz以上ではその値として100pH以下が望ましいとされている。デカップリングキャパシタを回路基板各所にちりばめてこのループインダクタンスを如何に小さくすることができるか腐心しているのが現状である(例えば、特許文献1)。

【特許文献1】特開2006-135036号公報

産業上の利用分野


本発明は、低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
絶縁シートの表面に電源配線およびグランド配線を有する金属配線層が設けられた積層シートと、
前記金属配線層を覆うように設けられた絶縁薄膜層と、
該絶縁薄膜層の表面に設けられた抵抗体層と
を有する、低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造。

【請求項2】
前記絶縁薄膜層が、前記金属配線層が設けられた側の前記積層シートの表面形状に沿うように設けられ、
前記抵抗体層が、前記絶縁薄膜層の表面形状に沿うように設けられている、請求項1に記載の低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造。

【請求項3】
前記抵抗体層が、10~1000Ω/□のシート抵抗を有する、金属もしくは半導体の均質膜または金属もしくは半導体のクラスタ状のグレインが重なった膜である、請求項1または2に記載の低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造。

【請求項4】
前記抵抗体層の厚さが、20~1000nmである、請求項1~3のいずれかに記載の低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造。

【請求項5】
前記絶縁薄膜層の厚さが、20~10000nmである、請求項1~4のいずれかに記載の低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造。

【請求項6】
前記電源配線および前記グランド配線のそれぞれが、下記(i)および(ii)の関係を満足する、請求項1~5のいずれかに記載の低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造。
(i)配線の厚さtと配線の短辺方向の幅wとの比(t/w)が、0.5以下である。
(ii)隣接する配線の間隔sと配線の短辺方向の幅wとの比(s/w)が、0.1~1である。

【請求項7】
前記抵抗体層の表面に設けられた保護層をさらに有する、請求項1~6のいずれかに記載の低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造。
産業区分
  • 電子部品
  • 伝送方式
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2008134348thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
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