TOP > 国内特許検索 > 半導体発光素子

半導体発光素子

国内特許コード P09A015069
整理番号 P2005-199-JP01
掲載日 2010年2月19日
出願番号 特願2006-171184
公開番号 特開2008-004672
登録番号 特許第4787083号
出願日 平成18年6月21日(2006.6.21)
公開日 平成20年1月10日(2008.1.10)
登録日 平成23年7月22日(2011.7.22)
発明者
  • 末宗 幾夫
  • 赤崎 達志
  • 田中 和典
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社
  • 国立大学法人北海道大学
  • 日本電信電話株式会社
発明の名称 半導体発光素子
発明の概要

【課題】量子情報処理や量子情報通信に用いるのに好適な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子1は、第1導電型の半導体基板11と、半導体基板11の一方の主面上に設けられた第1導電型の第1半導体層12と、第1半導体層12上に設けられた第2導電型の第2半導体層14と、第2半導体層14上に設けられた超伝導の第1電極15と、半導体基板11の他方の主面上に設けられた第2電極16と、第1半導体層12と第2半導体層14との間に設けられた半導体量子ドット領域13と、を備える。
【選択図】図1

従来技術、競合技術の概要


従来の半導体発光素子として発光ダイオードやレーザダイオードが挙げられる。これらの半導体発光素子では、互いに接合されたp型半導体層およびn型半導体層を挟んで一対の電極が設けられており、この一対の電極の間に順バイアス電圧が印加されると、p型半導体層とn型半導体層とのpn接合部の近傍に活性領域が形成され、この活性領域において電子と正孔との対消滅(再結合)によって光が生成される。



また、従来より格段に処理速度の速い量子情報処理や安全性の高い量子情報通信に用いるために、レーザ光をパラメトリック下方変換して光子対を生成する方法等,量子もつれ合い(互いに区別することのできない)光子対を生成する技術が開発されてきている(非特許文献1を参照)。

【非特許文献1】P. G. Kwiat, K. Mattle, H. Weinfurter, A. Zeilinger, A. V.Sergienko, and Y. Shih: "New high-intensity source ofpolarization-entangled photon pairs," Physical Review Letters, Vol.75,No.24 (1995) pp.4337-4341.

産業上の利用分野


本発明は、半導体発光素子に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方の主面上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に設けられた第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層上に設けられた超伝導の第1電極と、
前記半導体基板の他方の主面上に設けられた第2電極と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた半導体量子ドット領域と、
を備え、
再結合時間より短い幅を持つパルス電流を前記第1電極と前記第2電極との間に注入して、前記半導体量子ドット領域において、前記第1電極から注入される電子クーパー対と前記第1半導体層から注入される2個の正孔とを同時に再結合させるか、或いは、前記第1電極から注入される正孔クーパー対と前記第1半導体層から注入される2個の電子とを同時に再結合させる、
ことを特徴とする半導体発光素子。
産業区分
  • 固体素子
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

JP2006171184thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記までご連絡ください


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close