TOP > 国内特許検索 > アナターゼ型酸化チタン

アナターゼ型酸化チタン 新技術説明会

国内特許コード P09A015119
整理番号 20‐6
掲載日 2010年2月19日
出願番号 特願2008-173787
公開番号 特開2010-013309
登録番号 特許第5317033号
出願日 平成20年7月2日(2008.7.2)
公開日 平成22年1月21日(2010.1.21)
登録日 平成25年7月19日(2013.7.19)
発明者
  • 久保 衆伍
  • 山田 容士
  • 北川 裕之
出願人
  • 国立大学法人島根大学
発明の名称 アナターゼ型酸化チタン 新技術説明会
発明の概要

【課題】均質性が期待でき、耐湿性の高い、新規導電体または新規透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】ホウ素のドープ量を1×1019cm-3~5×1022cm-3としたアナターゼ型酸化チタンである。また、ホウ素のドープ量を5×1020cm-3~5×1022cm-3としたアナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜である。これらは、ターゲットを直径100mmの酸化チタンとし、この上に5mm角のホウ素(B)チップを均一に配置し、RFマグネトロンスパッタ法により得ることができる。
【選択図】図1

従来技術、競合技術の概要


近年、PDP(プラズマディスプレイパネル)やELパネルなどに適用するために、透明電極の研究開発が進んでいる。実際、ITOやZnOの研究開発が進められITOを用いたものは製品化されている。



また、Nb(ニオブ)をドープした酸化チタンも透明導電性を有することが知られている(非特許文献1)。




【非特許文献1】一杉太郎ほか「ガラス状におけるNbドープ二酸化チタン薄膜の透明伝導性」 セラミックス 42(2007)No.1pp32~36

産業上の利用分野


本発明は、ホウ素をドープしたアナターゼ型酸化チタンに関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
ホウ素のドープ量を1×1019cm-3~5×1022cm-3とした、抵抗値が10-3[Ω・cm]以下である透明導電性アナターゼ型酸化チタン。
産業区分
  • 無機化合物
  • 表面処理
  • 導電材料(抵抗)
  • 電線ケーブル
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

JP2008173787thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記「問合せ先」まで直接お問い合わせください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close