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無電解Cuめっき液および無電解Cuめっき方法

国内特許コード P100000422
整理番号 NI0800103
掲載日 2009年11月20日
出願番号 特願2009-065067
公開番号 特開2010-215978
登録番号 特許第5453602号
出願日 平成21年3月17日(2009.3.17)
公開日 平成22年9月30日(2010.9.30)
登録日 平成26年1月17日(2014.1.17)
発明者
  • 新井 進
出願人
  • 国立大学法人信州大学
発明の名称 無電解Cuめっき液および無電解Cuめっき方法
発明の概要 【課題】カーボンナノチューブ(CNT)をめっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Cuめっき液を提供する。
【解決手段】CNTの分散剤として、トリメチルセチルアンモニウム塩を1.0×10-3M~2.0×10-3M程度添加する。トリメチルセチルアンモニウム塩は、トリメチルセチルアンモニウムクロリドが好適である。めっき条件によって、CNTが無電解Cuめっき皮膜内に完全に埋没している状態や、無電解Cuめっき皮膜表面にCNTの先端が突出している状態に調整できる。CNT先端がめっき皮膜表面に突出している場合には、摺動特性に優れる被めっき物を得ることができる。また、無電解Cuめっき皮膜中にCNTを取り込ませた場合、2μm程度のめっき皮膜の厚さで、100kHz~数GHz程度までの高い周波数の電磁波シールド性を有することが期待できる。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要



発明者は、めっき液中に分散剤と微細炭素繊維もしくはその誘導体とを添加して、該分散剤によりめっき液中に微細炭素繊維(カーボンナノチューブ:CNT)もしくはその誘導体(以下、これらをCNTと総称する)を分散させ、めっきを施して、基材表面に、微細炭素繊維もしくはその誘導体が混入しているめっき皮膜を形成するめっき方法を提案している(特許文献1)。

そして、この特許文献1では、無電解Cuめっき皮膜中にCNTを混入できることにも言及している。

産業上の利用分野



本発明は、無電解Cuめっき液および無電解Cuめっき方法に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
無電解Cuめっき液において、
CNTと、
該CNTを分散させるトリメチルセチルアンモニウム塩を含むことを特徴とする無電解Cuめっき液。

【請求項2】
トリメチルセチルアンモニウム塩がトリメチルセチルアンモニウムクロリドであることを特徴とする請求項1記載の無電解Cuめっき液。

【請求項3】
請求項1または2記載の無電解Cuめっき液を用いて無電解めっきを行い、被めっき物に、CNTが埋没した無電解Cuめっき皮膜を形成することを特徴とする無電解Cuめっき方法。

【請求項4】
請求項1または2記載の無電解Cuめっき液を用いて無電解めっきを行い、被めっき物に、表面にCNTの先端が突出した無電解Cuめっき皮膜を形成することを特徴とする無電解Cuめっき方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2009065067thum.jpg
出願権利状態 登録
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