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化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体 新技術説明会

国内特許コード P100000559
掲載日 2010年2月19日
出願番号 特願2010-026986
公開番号 特開2011-162844
登録番号 特許第5424406号
出願日 平成22年2月9日(2010.2.9)
公開日 平成23年8月25日(2011.8.25)
登録日 平成25年12月6日(2013.12.6)
発明者
  • 大貝 猛
  • 高尾 慶蔵
  • 香川 明男
出願人
  • 国立大学法人 長崎大学
発明の名称 化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体 新技術説明会
発明の概要

【課題】精度よく且つ量産化に適した化合物半導体極細線の製造方法、化合物半導体極細線集合体を提供する。
【解決手段】電析法を用いて、ナノサイズの微細貫通孔を複数有するテンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体を充填する。あるいは微細貫通孔中に化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素を交互に層状に充填した後に第1元素と第2元素を拡散熱処理する。
【選択図】図1

従来技術、競合技術の概要


近年、化合物半導体ナノワイヤの形成やその応用(例えば電子デバイス、光デバイス等)に関する研究が盛んになってきている。化合物半導体ナノワイヤの製法としては、化合物半導体結晶をイオンビーム照射法等により削り出して極細線化する方法が知られている。また、化合物半導体ナノワイヤの製法として、気相-液相-固相(VLS)法、有機金属気相選択成長法(いわゆるMOVPE選択成長法)が知られている。VLS法は、半導体上にランダムに形成された触媒金属を核として特定な方向に成長させる方法である。MOVPE選択成長法は、電子ビームリソグラフィーを利用して基板上に作成した非晶質マスクパターン開口部からのエピタキシャル成長を利用する方法である。いずれも気相成長により行われる。特許文献1及び非特許文献1には、気相成長法により作製された半導体ナノワイヤに関する先行技術が開示されている。

産業上の利用分野


本発明は、化合物半導体ナノワイヤの製造に適した化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
複数のナノサイズの微細貫通孔を有するテンプレートを形成する工程と、
電析法を用いて、前記テンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素が合金化された状態で前記化合物半導体を充填する工程と
を有する化合物半導体極細線の製造方法。
【請求項2】
前記充填する工程の後に、熱処理する工程を有する
請求項1記載の化合物半導体極細線の製造方法。
【請求項3】
ナノサイズの微細貫通孔を複数有するテンプレートを形成する工程と、
電析法を用いて、前記テンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素を交互に層状に充填する工程と、
前記第1元素と前記第2元素を拡散熱処理する工程と
を有する化合物半導体極細線の製造方法。
【請求項4】
前記第1元素がII族元素であり、第2元素がVI族元素である
請求項1乃至3のいずれかに記載の化合物半導体極細線の製造方法。
【請求項5】
前記化合物半導体が亜鉛を含むII-VI族化合物半導体である
請求項1乃至4のいずれかに記載の化合物半導体極細線の製造方法。
【請求項6】
前記化合物半導体がZnTeである
請求項1乃至4のいずれかに記載の化合物半導体極細線の製造方法。
【請求項7】
前記テンプレートをポリカーボネート製メンブレンフィルタで形成する
請求項1乃至6のいずれかに記載の化合物半導体極細線の製造方法。
【請求項8】
複数のナノサイズの微細貫通孔を有するテンプレートと、
前記微細貫通孔内に電析法で充填された化合物半導体極細線と
を有する化合物半導体極細線集合体。
【請求項9】
前記化合物半導体極細線がII―VI族化合物半導体極細線であり、
前記化合物半導体極細線が直列接続された多層のpn接合を有する
請求項8記載の化合物半導体極細線集合体。
【請求項10】
前記テンプレートが光透過性を有するテンプレートで形成される
請求項8または9記載の化合物半導体極細線集合体。
【請求項11】
太陽電池として構成された請求項10記載の化合物半導体極細線集合体。
産業区分
  • 表面処理
  • その他機械要素
  • 無機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2010026986thum.jpg
出願権利状態 登録
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