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無電解Ni-Pめっき液および無電解Ni-Pめっき方法

国内特許コード P100000584
整理番号 NI0800102
掲載日 2010年3月19日
出願番号 特願2009-065049
公開番号 特開2010-215977
登録番号 特許第5453601号
出願日 平成21年3月17日(2009.3.17)
公開日 平成22年9月30日(2010.9.30)
登録日 平成26年1月17日(2014.1.17)
発明者
  • 新井 進
出願人
  • 国立大学法人信州大学
発明の名称 無電解Ni-Pめっき液および無電解Ni-Pめっき方法
発明の概要 【課題】VGCF(商標)のような大きなサイズのCNTであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ni-Pめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】無電解Ni-Pめっき液へのVGCF(商標)(市販の直径150nm前後、長さ10~20μm程度のサイズの大きなカーボンナノチューブ)の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いためっき液、及びこのめっき液を用いてNi-Pめっきを施すめっき方法。
【選択図】図3
従来技術、競合技術の概要



発明者は、めっき液中に分散剤と微細炭素繊維もしくはその誘導体とを添加して、該分散剤によりめっき液中に微細炭素繊維(カーボンナノチューブ:CNT)もしくはその誘導体(以下、これらをCNTと総称する)を分散させ、めっきを施して、基材表面に、微細炭素繊維もしくはその誘導体が混入しているめっき皮膜を形成するめっき方法を提案している(特許文献1)。

そして、この特許文献1では、無電解Niめっき皮膜中にCNTを混入できることにも言及している。

産業上の利用分野



本発明は、無電解Ni-Pめっき液および無電解Ni-Pめっき方法に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
無電解Ni-Pめっき液において、
CNTと、
該CNTを分散させるトリメチルセチルアンモニウム塩を含むことを特徴とする無電解Ni-Pめっき液。

【請求項2】
トリメチルセチルアンモニウム塩がトリメチルセチルアンモニウムクロリドであることを特徴とする請求項1記載の無電解Ni-Pめっき液。

【請求項3】
請求項1または2記載の無電解Ni-Pめっき液を用いて無電解めっきを行い、被めっき物に、表面にCNTの先端が突出した無電解Ni-Pめっき皮膜を形成することを特徴とする無電解Ni-Pめっき方法。

【請求項4】
CNTに、太さが100nm~200nmで、長さが10μm~20μmのものを用いることを特徴とする請求項3記載の無電解Ni-Pめっき方法。

【請求項5】
長さを3μm~4μmに調節したCNTを用いることを特徴とする請求項4記載の無電解Ni-Pめっき方法。

【請求項6】
得られた無電解Ni-Pめっき皮膜の熱処理を行うことを特徴とする請求項3~5いずれか1項記載の無電解Ni-Pめっき方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2009065049thum.jpg
出願権利状態 登録
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