TOP > 国内特許検索 > 窒化アルミニウム製造方法

窒化アルミニウム製造方法 コモンズ

国内特許コード P100000819
整理番号 K031P17
掲載日 2010年7月16日
出願番号 特願2010-152397
公開番号 特開2012-012266
登録番号 特許第5491300号
出願日 平成22年7月2日(2010.7.2)
公開日 平成24年1月19日(2012.1.19)
登録日 平成26年3月7日(2014.3.7)
発明者
  • 寒川 義裕
  • 屋山 巴
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 窒化アルミニウム製造方法 コモンズ
発明の概要 【課題】 常圧窒素環境下で新規の薄膜成長技術を確立し、該技術に基づいて高純度な窒化アルミニウム材料を製造する新規の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム製造方法は、常圧窒素雰囲気下で、窒化リチウムおよびアルミニウムから成る原料混合物を、第1図(a)に示す窒化リチウムおよびアルミニウムに関する二元系状態図における斜線領域内の組成および温度で少なくとも2時間保持する工程を含む。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要



近年,窒化物半導体(III-V 族共有結合を有する半導体材料のうち、V 族元素が窒素である半導体を指す)を発光層とする深紫外領域のLED(Light Emitting Diode)開発が注目されており、殺菌・医療・高密度光記録・固体照明などの分野への応用が期待されている。





窒化物半導体を発光層とするデバイス作製が様々な方法で試みられているが、基板と成長層の格子不整合により生じる貫通転位などの結晶欠陥が発光効率の妨げとなっている。そのため、高品質な窒化アルミニウム(AlN)材料の製造が切望されており、当該材料は窒化物半導体と同種材料基板であり熱伝導率が高いことから、窒化アルミニウム自立基板やヒートポンプ等のその他の用途への応用が期待されている。





従来の窒化アルミニウム材料の製造方法に関しては、昇華法によりサセプター上の種結晶上に窒化物単結晶を成長させる技術がある(例えば、特許文献1参照)。また、反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるフラックス法によるIII族窒化物の結晶製造方法がある(例えば、特許文献2参照)。また、窒化物半導体と異なる材料からなる基板の上に、石英反応容器を用いたハイドライド気相成長法により、窒化物半導体を成長させる窒化物半導体素子の製造方法がある(例えば、特許文献3参照)。

産業上の利用分野



本発明は、電気電子材料の分野に属し、特に、高純度な窒化アルミニウムから成る窒化アルミニウム材料を製造できる新規な技術に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
窒化アルミニウムの結晶を液相成長により生成する窒化アルミニウム製造方法であって、常圧窒素雰囲気下で、窒化リチウムおよびアルミニウムから成る原料混合物におけるアルミニウムの原料モル組成比[原料アルミニウム/(原料アルミニウム+原料窒化リチウム)]が0.9以上かつ1未満の範囲の組成として、850℃以上1000℃以下の温度にて、少なくとも2時間保持する工程を含むことを特徴とする窒化アルミニウム製造方法。

【請求項2】
前記原料混合物を窒化アルミニウムを含む基板上に戴置して前記温度を保持することを特徴とする請求項1に記載の窒化アルミニウム製造方法。

【請求項3】
前記基板がAlN/SiC基板であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化アルミニウム製造方法。
産業区分
  • 処理操作
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

JP2010152397thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) さきがけ 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス 領域
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close