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磁性微粒子、その製造方法及びその製造装置並びに腫瘍細胞破壊用磁性微粒子、細胞破壊方法、細胞破壊装置及び治療装置

国内特許コード P100001327
整理番号 P08-025
掲載日 2010年12月13日
出願番号 特願2009-054831
公開番号 特開2010-207322
登録番号 特許第5570131号
出願日 平成21年3月9日(2009.3.9)
公開日 平成22年9月24日(2010.9.24)
登録日 平成26年7月4日(2014.7.4)
発明者
  • 佐久間 洋志
  • 石井 清
  • 青島 光
  • 大平 猛
出願人
  • 国立大学法人宇都宮大学
  • 学校法人自治医科大学
発明の名称 磁性微粒子、その製造方法及びその製造装置並びに腫瘍細胞破壊用磁性微粒子、細胞破壊方法、細胞破壊装置及び治療装置
発明の概要 【課題】腫瘍細胞を選択的に破壊する等、種々の用途に効果的に利用可能な新規な形状の磁性微粒子、その製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】コア部1とそのコア部2の周りにある多数のヒゲ状突起3とからなり、そのヒゲ状突起3を含む粒子径Dに対するヒゲ状突起3の長さLの割合が5%以上30%以下である磁性微粒子1により、上記課題を解決する。このとき、ヒゲ状突起3を含む粒子径Dの平均が100nm以上300nm以下の範囲内である磁性微粒子1は、ガスフロースパッタ法で形成された鉄微粒子として好ましく得ることができ、腫瘍細胞内に貪食又はエンドサイトーシスされて外部から加わる変換磁場により該腫瘍細胞を破壊する磁性微粒子として利用できる。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要



下記特許文献1には、スパッタリングで生成したスパッタ蒸気を50原子%以上の高い割合で超微粒子堆積膜として消費できる、ガスフロースパッタリング装置が提案されている。このガスフロースパッタリング装置では、キャリアガスの流量調整等により、堆積膜を形成する数nmオーダーの超微粒子の粒径や堆積速度を制御できることが記載されている。





一方、下記特許文献2には、標的細胞に特異的に結合可能であり、外刺激を受けると移動可能な粒子と、標的細胞に特異的に結合した粒子に外刺激を付与して該粒子を移動させ、標的細胞を破砕させる標的細胞破砕手段とを有する細胞破砕装置が提案されている。さらに、標的細胞に特異的に結合可能であり、外刺激を受けると移動可能な粒子を、標的細胞を含む試料中に添加させ標的細胞に特異的に結合させる粒子結合工程と、標的細胞に特異的に結合した粒子に外刺激を付与して粒子を移動させ、標的細胞を破砕させる標的細胞破砕工程とを含む細胞破砕方法も提案されている。

産業上の利用分野



本発明は、新規な形状の磁性微粒子、その製造方法及びその製造装置に関する。さらに、本発明は、腫瘍細胞を選択的に破壊するのに好ましく用いることができる磁性微粒子、その磁性微粒子を用いた細胞破壊方法、細胞破壊装置及び治療装置に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
ターゲットから放出されたスパッタ蒸気を、スパッタガス又は必要に応じてスパッタガスにキャリアガスを加えたガスの流れとして移送し、前記スパッタ蒸気を凝縮させて回収部で回収される磁性微粒子であって、
前記磁性微粒子は、前記ターゲットから前記回収部までの移送時間を調整することによって得られるものであり、
前記磁性微粒子は、コア部と該コア部の周りにある多数のヒゲ状突起とからなり、該ヒゲ状突起を含む粒子径に対する該ヒゲ状突起の長さの割合が5%以上30%以下であることを特徴とする磁性微粒子。

【請求項2】
前記ヒゲ状突起を含む粒子径の平均が100nm以上300nm以下の範囲内である、請求項1に記載の磁性微粒子。

【請求項3】
前記コア部の周りにある前記ヒゲ状突起長が、長い領域と短い領域とに分かれている、請求項1又は2に記載の磁性微粒子。

【請求項4】
前記ヒゲ状突起には、生体細胞構造に特異的に発現している構成タンパク若しくは糖鎖抗原に対して親和性又は障害性のある物質が付加されている、請求項1~3のいずれかに記載の磁性微粒子。

【請求項5】
請求項1~4のいずれかに記載の磁性微粒子からなる腫瘍細胞破壊用磁性微粒子。

【請求項6】
請求項1~4のいずれかに記載の磁性微粒子が細胞内に貪食又はエンドサイトーシスされるステップと、外部から変換磁場を印加して前記細胞に物理的応力を与え、前記細胞のうち破壊しようとする標的細胞を選択的に破壊させるステップと、を有することを特徴とする細胞破壊方法(但し、ヒトを対象とする方法を除く)

【請求項7】
請求項1~4のいずれかに記載の磁性微粒子と、前記細胞内に貪食又はエンドサイトーシスされた後の前記磁性微粒子に変換磁場にて物理的応力を与え、前記細胞のうち破壊しようとする標的細胞を選択的に破壊させる変換磁場装置と、を少なくとも有することを特徴とする細胞破壊装置。

【請求項8】
請求項7に記載の細胞破壊装置を少なくとも有し、該細胞破壊装置が備える変換磁場装置の印加磁場条件を制御して腫瘍細胞を選択的に破壊することを特徴とする治療装置。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2009054831thum.jpg
出願権利状態 登録
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