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AlN結晶の製造方法

国内特許コード P110001530
掲載日 2011年2月7日
出願番号 特願2008-533177
登録番号 特許第5229735号
出願日 平成19年9月5日(2007.9.5)
登録日 平成25年3月29日(2013.3.29)
国際出願番号 JP2007067265
国際公開番号 WO2008029827
国際出願日 平成19年9月5日(2007.9.5)
国際公開日 平成20年3月13日(2008.3.13)
優先権データ
  • 特願2006-242973 (2006.9.7) JP
発明者
  • 大塚 寛治
  • 清宮 義博
  • 高木 健児
  • 杉田 薫
出願人
  • タマティーエルオー株式会社
発明の名称 AlN結晶の製造方法
発明の概要

新規なAlN結晶の製造方法を提供する。本発明に係るAlN結晶の製造方法は、窒素雰囲気下に位置している溶融Al2に種結晶4を接触させ、種結晶4と溶融Al2の界面に、窒化物の生成自由エネルギーがAlより小さい元素(例えばB、Ca、又はSi)を供給し、この元素を触媒として溶融Al2に溶解した窒素と溶融Al2を反応させることにより、種結晶4にAlN結晶を成長させるものである。窒素雰囲気を4気圧以上にするのが好ましい。また溶融Al2と種結晶4の界面の温度を800℃以上にするのが好ましい。窒素雰囲気に、触媒となる元素を含む化合物の気体を混入させ、この気体を溶融Al2に溶かし込むことにより、触媒となる元素を種結晶4と溶融Al2の界面に供給してもよい。

従来技術、競合技術の概要


パワーデバイスや高輝度発光デバイスには化合物半導体装置が使用される。パワーデバイスや高輝度発光デバイスの基板に求められる特性として、化合物半導体と格子定数が整合していること、バンドギャップが大きいこと、放熱性が良いことなどが挙げられる。従来は、Si単結晶基板又はサファイア基板上に、構造を工夫したバッファ層を形成し、このバッファ層上に化合物半導体層を形成することにより、化合物半導体装置を形成していた。

産業上の利用分野


本発明は、新規なAlN結晶の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
窒素雰囲気下に位置している溶融Alに種結晶を接触させ、
前記種結晶と前記溶融Alの界面に、窒化物の生成自由エネルギーがAlより小さい元素を供給し、
前記元素を触媒として前記溶融Alに溶解した窒素と前記溶融Alを反応させることにより、前記種結晶にAlN結晶を成長させ
前記元素はシリコン、鉄、モリブデン、クロム、バナジウム、マンガン、インジウム、ガリウム、タンタル、ハフニウム、及びトリウムからなる群から選ばれた少なくとも一種である、AlN結晶の製造方法。

【請求項2】
前記窒素雰囲気を4気圧以上にする請求項1に記載のAlN結晶の製造方法。

【請求項3】
前記溶融Alと前記種結晶の界面の温度を800℃以上にする請求項1又は2に記載のAlN結晶の製造方法。

【請求項4】
前記窒素雰囲気に、前記元素を含む化合物の気体を混入させ、前記溶融Alに前記気体を溶かし込むことにより、前記種結晶と前記溶融Alの界面に前記元素を供給する請求項1~のいずれか一項に記載のAlN結晶の製造方法。
産業区分
  • 無機化合物
  • 処理操作
  • その他無機化学
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2008533177thum.jpg
出願権利状態 権利存続中


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