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微細構造物の蒸着装置及び方法

国内特許コード P110002633
整理番号 S2009-0253-N0
掲載日 2011年5月20日
出願番号 特願2009-026928
公開番号 特開2010-180465
登録番号 特許第5458300号
出願日 平成21年2月9日(2009.2.9)
公開日 平成22年8月19日(2010.8.19)
登録日 平成26年1月24日(2014.1.24)
発明者
  • 重田 諭吉
  • 青柳 邦彦
  • 野瀬 裕之
出願人
  • 公立大学法人横浜市立大学
  • 株式会社IHI
発明の名称 微細構造物の蒸着装置及び方法
発明の概要 【課題】基板の表面状態の影響を低減して微細構造を所定の位置に形成でき、かつ基板に効率よく高周波を伝送できる微細構造物の蒸着装置及び方法を提供する。
【解決手段】圧電体11の表面に間隔を隔てて位置する少なくとも1対の電極12,13を有する表面弾性波素子10と、表面弾性波素子の表面に2以上の物質A,Bを真空蒸着可能な真空蒸着装置20と、表面弾性波素子の電極間に高周波電圧を印加する高周波印加装置30とを備え、前記高周波電圧の印加により表面弾性波素子の表面に表面弾性波の定在波を発生させた状態で、複数の薄膜層を構成し、定在波の特定位置に微細構造物を蒸着する。
【選択図】図4
従来技術、競合技術の概要



フラーレン(C60)とは、炭素の同位体の1つであり、その分子を構成する炭素原子の骨格が正五角形と正六角形の組み合わせからなる閉多面体構造のものである。このようなフラーレンやカーボンナノチューブなどの機能性分子は様々な機能を持つことが知られている。

しかし、機能性分子等の分子サイズは非常に小さく(フラーレンの場合、直径約1nm)、その位置を正確に制御することは非常に難しい。そのため、このような微細構造物を所定の位置に形成する位置制御手段として、本発明の出願人らは、先に、特許文献1を創案し出願している。

なお、その他の微細構造物の位置制御手段として、特許文献2,3が開示されている。





特許文献1は、微細構造物の位置や微細構造物を形成する構成要素間の相対位置を高精度に制御することを目的とし、図1に模式的に示すように、基板1の表面に表面弾性波の定在波2を発生させ、該定在波によって微細構造物の材料(量子ドット3)が付着する位置つまり微細構造物の位置を設定するものである。なおこの図において、4は電極である。

産業上の利用分野



本発明は、微細構造物を所定の位置に形成する微細構造物の蒸着装置及び方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
圧電体の表面に間隔を隔てて位置する少なくとも1対の電極を有する表面弾性波素子と、
該表面弾性波素子の表面に2以上の物質を真空蒸着可能な真空蒸着装置と、
表面弾性波素子の前記電極間に高周波電圧を印加する高周波印加装置とを備え、
前記高周波電圧の印加により表面弾性波素子の表面に表面弾性波の定在波を発生させた状態で、表面弾性波素子の表面全体にフラーレンの層を蒸着により形成し、次いで前記定在波の特定位置に微細構造物を蒸着する、ことを特徴とする微細構造物の蒸着装置。

【請求項2】
前記真空蒸着装置は、表面弾性波素子を収容し内部を所定の真空度に真空減圧可能な真空チャンバと、該真空チャンバ内に高周波電流を導入する真空コネクタとを有し、
前記高周波印加装置は、所定の周波数の高周波電圧を発生する高周波発生装置と、
インピーダンスが整合した入力導電膜と接地導電膜を有し表面弾性波素子に高周波電圧を入力する素子ホルダと、
インピーダンスが整合した中心導体とシールド金属を有し高周波発生装置から真空コネクタを介して素子ホルダまで高周波電圧を伝播させる同軸ケーブルとを備える、ことを特徴とする請求項1に記載の微細構造物の蒸着装置。

【請求項3】
前記入力導電膜と接地導電膜は、絶縁基板上にNiCr薄膜とAu薄膜を介してメッキされ、かつ前記高周波の表皮深さより十分厚いCu膜である、ことを特徴とする請求項に記載の微細構造物の蒸着装置。

【請求項4】
圧電体の表面に間隔を隔てて位置する少なくとも1対の電極を有する表面弾性波素子を、真空チャンバ内に収容して所定の真空度に真空減圧し、 前記電極間に高周波電圧を印加して表面弾性波素子の表面に表面弾性波の定在波を発生させ、 この状態で、表面弾性波素子の表面全体にフラーレンの層を蒸着させ、次いで前記定在波の特定位置に微細構造物を蒸着する、ことを特徴とする微細構造物の蒸着方法。

【請求項5】
前記フラーレンの層は、基板温度が室温~200℃、蒸着レートが0.6~1.7Å/min、蒸着厚さが30Å~10nmで蒸着する、ことを特徴とする請求項に記載の微細構造物の蒸着方法。

【請求項6】
前記表面弾性波素子は、隣接する電極間の距離が500~900nm、中心周波数が850~900MHzのSAWデバイスである、ことを特徴とする請求項に記載の微細構造物の蒸着方法。

【請求項7】
前記微細構造物の蒸着において、高周波電圧の周波数を順次高めて、表面弾性波の前記定在波を順次高次モードに変化させ、該定在波の節に該当する位置に微細構造物を蒸着する、ことを特徴とする請求項に記載の微細構造物の蒸着方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2009026928thum.jpg
出願権利状態 登録
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