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超平坦透明導電膜およびその製造方法

国内特許コード P110002788
整理番号 E060P04
掲載日 2011年6月8日
出願番号 特願2000-205941
公開番号 特開2002-025349
登録番号 特許第3531865号
出願日 平成12年7月6日(2000.7.6)
公開日 平成14年1月25日(2002.1.25)
登録日 平成16年3月12日(2004.3.12)
発明者
  • 太田 裕道
  • 折田 政寛
  • 細野 秀雄
  • 平野 正浩
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
  • HOYA株式会社
発明の名称 超平坦透明導電膜およびその製造方法
発明の概要 【課題】 有機ELディスプレイ用の透明電極や、酸化物LEDやLD用の透明電極の特性を向上させることができる透明導電膜の提供。
【構成】 超平坦化したガラス基板または結晶性基板、例えば、YSZ単結晶基板上に成膜されており、透明導電膜材料の結晶構造を反映したテラス=ステップ構造を有し、平均表面粗さが1nm以下であることを特徴とするITOなどの超平坦透明導電膜。パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、CVD法、MO-CVD法、またはMBE法のいずれか一つの成膜方法を用いて成膜する際に、基板を800℃~1500℃に保持する。熱以外のエネルギーのアシストまたは好ましくない表面吸着種の除去により基板を800℃以下に保持することもできる。
従来技術、競合技術の概要


ELディスプレイ、液晶ディスプレイ等の表示デバイスには、通常、ITOが透明電極材料として用いられる。ITOは、例えば、スパッタリング法やイオンプレーティング法などにより、基板温度を50~350℃として成膜する(例えば、特開平9-3628号公報、特開平9-129376号公報、特開平10-330916号公報)。一方、酸化物LEDやLDは研究段階にあり、実用例は無い。最近、ZnO/SrCu22系の紫外発光LEDが実現した。この場合には、ITOを透明電極材料として用いているが、超平坦ITO電極膜ではない(H.Ohta et.al, Electronics Letters, 36 (2000) 984)。

産業上の利用分野


本発明は、有機ELディスプレイ等の表示デバイス等の透明電極や、酸化物LEDやLDの透明電極として使用できる透明導電膜とその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
平均表面粗さRaが1nm未満の超平坦化したYSZ単結晶基板上に成膜されたITO透明導電膜であり、該透明導電膜材料の酸化インジウムの結晶構造を反映した、堆積する原子の酔歩運動により成長したテラス=ステップ構造からなる平均表面粗さが1nm以下の超平坦面を有し、その上に発光層となる有機材料や無機材料を堆積させるために用いられることを特徴とする超平坦透明導電膜。

【請求項2】
ドーパントとしてSnイオンを2.8~10.5モル%含むことを特徴とする請求項1記載の超平坦透明導電膜。

【請求項3】
比抵抗率が5×10-4Ωcm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の超平坦透明導電膜。

【請求項4】
パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、CVD法、MO-CVD法、またはMBE法のいずれか一つの成膜方法を用いて成膜する際に、平均表面粗さRaが1nm未満の超平坦化したYSZ単結晶基板を800℃~1500℃以下に保持し、薄膜の堆積速度を表面原子の酔歩運動の速度より遅くすることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の超平坦透明導電膜の製造方法。

【請求項5】
パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、CVD法、MO-CVD法、またはMBE法のいずれか一つの成膜方法を用いて成膜する際に、熱以外のエネルギーをアシストして、または好ましくない表面吸着種を除去して、超平坦化したガラス基板または結晶性基板を800℃未満に保持し、薄膜の堆積速度を表面原子の酔歩運動の速度より遅くすることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の超平坦透明導電膜の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2000205941thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO 細野透明電子活性プロジェクト 領域
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