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高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧方法及びその装置 コモンズ

国内特許コード P110002825
整理番号 RJ002P65
掲載日 2011年6月8日
出願番号 特願2001-003446
公開番号 特開2002-207069
登録番号 特許第3822058号
出願日 平成13年1月11日(2001.1.11)
公開日 平成14年7月26日(2002.7.26)
登録日 平成18年6月30日(2006.6.30)
発明者
  • 荒井 賢一
  • 山口 正洋
  • 藪上 信
  • 鈴木 哲
出願人
  • 独立行政法人科学技術振興機構
発明の名称 高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧方法及びその装置 コモンズ
発明の概要 (57)【要約】【課題】 SSB位相雑音を低減することにより、センサ素子自身の熱的揺らぎ、あるいは熱雑音レベルまでの微小な信号の検出が可能となる高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧方法及びその装置を提供する。【解決手段】 信号発生器1と、この信号発生器1に接続される第1のデバイダ2と、この第1のデバイダ2に接続されるセンサ素子3と、このセンサ素子3と並列に接続され、前記第1のデバイダ2に接続されるアッテネータ4と位相シフタ5との直列接続回路と、前記センサ素子3と前記位相シフタ5に接続される第2のデバイダ6と、この第2のデバイダ6に接続される前置増幅器7と、この前置増幅器7に接続されるスペクトラムアナライザ8とを備え、キャリア電圧を前記第1のデバイダ2で分圧し、前記位相シフタ5の出力信号が前記センサ素子3の出力信号であるキャリア成分に対し、振幅が等しく、位相がほぼ180°異なるように、前記アッテネータ4と前記位相シフタ5を用いて調節する。
従来技術、競合技術の概要
従来、このような分野の技術としては以下に開示されるようなものがあった。
【0003】
(1)沼沢茂,村上孝一,北条博行:日本応用磁気学会誌,9,263(1985)
(2)加茂芳邦,島田寛:第13回日本応用磁気学会学術講演概要集,23aD-6(1989)
(3)K.Mohri,T.Kohzawa,K.Kawashima,H.Yoshida,and L.V.Panina:IEEE Trans.Magn.,28,3150(1992)
(4)菊地弘昭,竹澤昌晃,山口正洋,荒井賢一:日本応用磁気学会誌,21,789(1997)
(5)比嘉孝治,内山剛,R.Shin,毛利佳年雄,宇ノ木保元,菊地和政:日本応用磁気学会誌,21,649(1997)
(6)M.Senda,O.Ishii,Y.Koshimoto,and T.Toshima:IEEE Trans.Magn.,30,4611(1994).
(7)M.Senda,Y.Koshimoto:IEEE Trans.Magn.,33,3379(1997)
(8)森川健志,西部裕司,山寺秀哉,野々村裕,竹内正治,多賀康訓:日本応用磁気学会誌,20,553(1996)
(9)T.Morikawa,Y.Nishibe,H.Yamadera,Y.Nonomura,M.Takeuchi,and Y.Taga:IEEE Trans.Magn.,33,4367(1997)
(10)M.Yamaguchi,M.Takezawa,Y.H.Kim,K.Ishiyama,M.Baba,K.I.Arai,N.Wako,and I.Abe:Proccedings of Transducers’99,2P3.8(1999)
(11)竹澤昌晃:東北大学大学院工学研究科博士学位論文,p.216(1999)
(12)竹澤昌晃,網代紀行,山口正洋,荒井賢一,山崎二郎:電気学会マグネティクス研究会資料,MAG-99-189
(13)S.Uchiyama,M.Masuda,and Y.Sasaki:Jpn.J.Appl.Phys.,2,621(1963)
磁性体に高周波キャリア電流を直接通電し、その表皮効果を利用した高感度な磁界センサを薄膜で実現する研究が盛んに行われており、これまでに10-10 テスラ(T)台の交流磁界分解能が得られたという報告例がある。
産業上の利用分野
本発明は、高周波キャリア型磁界センサから出力されるAM変調波の搬送波成分を抑圧すると同時に、側波帯における搬送波成分のSSB位相雑音を低減する高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧方法及びその装置に関するものである。
特許請求の範囲 【請求項1】外部磁界により変調されたAM変調波をキャリア成分と逆相の成分を足し合わせることにより、キャリア成分のみを低減させ、これにより位相雑音を低減させ、側波帯を高感度に測定可能にすることを特徴とする高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧方法。
【請求項2】(a)信号発生器と、
(b)該信号発生器に接続される第1のデバイダと、
(c)該第1のデバイダに接続されるセンサ素子と、
(d)該センサ素子と並列に接続され、前記第1のデバイダに接続されるアッテネータと位相シフタとの直列接続回路と、
(e)前記センサ素子と前記位相シフタに接続される第2のデバイダと、
(f)該第2のデバイダに接続される前置増幅器と、
(g)該前置増幅器に接続されるスペクトラムアナライザとを備え、
(h)キャリア電圧を前記第1のデバイダで分圧し、前記位相シフタの出力信号が前記センサ素子の出力信号であるキャリア成分に対し、振幅が等しく、位相がほぼ180°異なるように、前記アッテネータと前記位相シフタを用いて調節することを特徴とする高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧装置。
産業区分
  • 測定
  • 固体素子
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中
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