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光増幅器 コモンズ

国内特許コード P110002831
整理番号 Y00-P400
掲載日 2011年6月8日
出願番号 特願2001-047098
公開番号 特開2002-252397
登録番号 特許第4183225号
出願日 平成13年2月22日(2001.2.22)
公開日 平成14年9月6日(2002.9.6)
登録日 平成20年9月12日(2008.9.12)
発明者
  • 藤本 靖
  • 中塚 正大
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 光増幅器 コモンズ
発明の概要 【課題】 1.3μm帯の増幅に適した高効率の光ファイバ及び増幅器を提供する。
【解決手段】 光増幅器において、Biをドープした石英ガラス〔xBi23 -yAl2 3 -(1-x-y)SiO2 〕が、モル%でBi2 3 は0.1から10.0%、Al2 3 は2から20%で、かつ、x<yであり、0.8μm帯の半導体レーザ励起で、1.3μm帯の信号光増幅を行う光ファイバを用いる。
従来技術、競合技術の概要


情報通信における光伝送路として主に使用されている光ファイバは、伝送距離や帯域の観点からシングルモード光ファイバが主流である。その光の波長としては1.3μm帯と1.5μm帯があり、特に、通信系には、1.3μm帯が使われている。1.3μm帯は石英ファイバが零分散を示す波長であり、伝送歪みの少ない光通信が可能である。1.5μm帯における伝送では分散を補償した特殊な光ファイバを用いることで歪みを低減させるためコスト高になる。長距離に光信号を伝送する光ファイバ伝送システムは、途中、光信号を増幅するために光ファイバ増幅器を有している。光を光のままで増幅する方式として、1.5μm帯ではエルビウム(Er)をドープした光ファイバ増幅器やラマン増幅器が実用化されている。



図10は従来の半導体光増幅器の構成図である。



この図において、101は入射端、102,105は光ファイバ、103は入力光信号、104は半導体レーザ、106は出力光信号、107は出射端である。入力光信号103は半導体レーザ104によって増幅され、出射端107から出力される。



図11は従来の光ファイバ増幅器の構成図である。



この図において、111は入射端、112,115,117は通常の光ファイバ、113は入力光信号、114は励起部としての半導体レーザ、116は増幅部(希土類ドープファイバ)、118は出力光信号、119は出射端である。半導体レーザ114からの励起光を増幅部116へ送ると、この増幅部116からは増幅された出力光信号118が出射端119から出力される。

産業上の利用分野


本発明は、光増幅器に係り、特に、シングルモード光ファイバの1.3μm帯の信号光増幅に有用な、Bi(ビスマス)ドープ石英ガラスを用いた光増幅器に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
(a)0.8μm帯の励起用半導体レーザと、
(b)Biをドープした石英ガラス〔xBi2 3 -yAl2 3 -(1-x-y)SiO2 〕が、モル%でBi2 3 は0.1から10.0%、Al2 3 は2から20%で、かつ、x<yであり、前記0.8μm帯の励起により、1.3μm帯域での蛍光を得るBiドープシリカガラス蛍光材料を有する光ファイバを具備することを特徴とする光増幅器。

【請求項2】
請求項記載の光増幅器において、前記半導体レーザはGaAlAs系半導体レーザであることを特徴とする光増幅器。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2001047098thum.jpg
出願権利状態 登録
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