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炭化珪素焼結材の製造方法

国内特許コード P110002905
整理番号 RSP22P01
掲載日 2011年6月8日
出願番号 特願2001-283235
公開番号 特開2003-095745
登録番号 特許第3706881号
出願日 平成13年9月18日(2001.9.18)
公開日 平成15年4月3日(2003.4.3)
登録日 平成17年8月12日(2005.8.12)
発明者
  • 金山 信幸
  • 植田 優
  • 野田 泰稔
  • 北川 裕之
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
  • 島根県
発明の名称 炭化珪素焼結材の製造方法
発明の概要 【課題】 相対密度が高く、広範囲のキャリア濃度制御の高い炭化珪素焼結材の製造方法を提供する。
【解決手段】 この発明は、炭化珪素(SiC)の粉体を主材とした圧粉体を焼結雰囲気中で加熱して焼結する方法において、上記主材に対し炭化アルミニウム(Al43)と窒化珪素(Si34)のいずれか一方又は両方からなる添加材を添加混合して焼結する炭化珪素焼結材の製造方法に関する。上記添加材の添加量は重量比0.001~50重量%とし、さらに添加材として炭化アルミニウムと窒化珪素の両方又はいずれか一方とし、炭化アルミニウム及び窒化珪素の配合比や、添加材の添加量を調節することにより、p型・n型電気伝導型とそのキャリア濃度を制御するものである。
従来技術、競合技術の概要


従来の炭化珪素(SiC)焼結体の製造においては、焼結密度を高めるためにホットプレス法や高温加熱焼結法をはじめとする各種焼結方法がとられているほか、炭化ホウ素(B4C)など焼結助剤が使用されてきた。



キャリア濃度の制御については、p型伝導型材料の製造では炭化ホウ素(BC)添加剤が使用され、n型伝導型材料の製造には窒素雰囲気中で、ホットプレス法や高温加熱焼結法によって行われており、キャリア濃度の制御は最高でも1022-3の桁にとどまっていた。

産業上の利用分野


本発明は、セラミックス材料である炭化珪素にドープ用添加材を添加して高密度の半導体等を得る炭化珪素焼結材の製造方法に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
炭化珪素(SiC)の粉体を主材とした圧粉体を焼結雰囲気中で加熱して焼結する方法において、上記主材に対し炭化アルミニウム(Al43)からなる添加材を0.001~50重量%添加混合して焼結し、当該添加材の添加量を調節することによりp型電気伝導型のキャリア濃度を制御する炭化珪素焼結材の製造方法。

【請求項2】
添加材が炭化アルミニウムと窒化珪素からなり、炭化アルミニウム及び窒化珪素の配合比と、該添加材の添加量を調節することにより、p型・n型電気伝導型とそのキャリア濃度を制御する請求項1の炭化珪素焼結材の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2001283235thum.jpg
出願権利状態 登録
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