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電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体 実績あり

国内特許コード P110003011
整理番号 A112P56
掲載日 2011年6月10日
出願番号 特願2002-156564
公開番号 特開2003-342285
登録番号 特許第3951171号
出願日 平成14年5月30日(2002.5.30)
公開日 平成15年12月3日(2003.12.3)
登録日 平成19年5月11日(2007.5.11)
発明者
  • 中村 新男
  • 竹田 美和
  • 藤原 康文
  • 茜 俊光
  • 町田 英明
  • 大平 達也
  • 野津 定央
  • 下山 紀男
出願人
  • 独立行政法人科学技術振興機構
  • 株式会社トリケミカル研究所
発明の名称 電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体 実績あり
発明の概要 (57)【要約】【課題】 高性能な電子デバイスが得られる技術を提供することである。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなランタノイド元素を添加した電子デバイスを提供することである。【解決手段】 トリス?エチルシクロペンタジエニル?Lnからなる電子移動可能体形成材料。
産業上の利用分野
本発明は、例えば半導体や導体と言った電子移動が可能な電子移動可能体に関する。
特許請求の範囲 【請求項1】 Ga,In,Pを含む層とGa,In,Pを含む層との間に電子移動可能体膜を有する電子移動可能体における前記電子移動可能体膜を形成する為の材料であって、
前記材料はトリス-エチルシクロペンタジエニル-Lnからなる
ことを特徴とする電子移動可能体形成材料。
産業区分
  • 有機化合物
  • 表面処理
  • 無機化合物
  • 固体素子
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 電子・光子等の機能制御 領域
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