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単結晶基板の熱処理方法 実績あり

国内特許コード P110003014
整理番号 N072P02
掲載日 2011年6月14日
出願番号 特願2003-077151
公開番号 特開2004-288767
登録番号 特許第4388294号
出願日 平成15年3月20日(2003.3.20)
公開日 平成16年10月14日(2004.10.14)
登録日 平成21年10月9日(2009.10.9)
発明者
  • 鯉沼 秀臣
  • 松本 祐司
  • 山本 雄一
  • 望月 圭介
  • 福士 大吾
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
  • 旭硝子株式会社
  • 株式会社信光社
発明の名称 単結晶基板の熱処理方法 実績あり
発明の概要 【課題】TiOルチル単結晶基板の表面を原子レベルでの高い平坦化を可能にする。
【解決手段】面方位(110),(100),(001),(111)及び(101)から選択されたTiOルチル単結晶基板を有機溶剤で洗浄し、次いで酸性溶剤で洗浄した後、大気下約300°C~約1,100°Cの加熱温度で電気炉を用いて1時間焼成して、選択した面方位の上記TiOルチル単結晶基板の表面に約0.22nm~約0.46nmの高さの原子ステップ2及びテラス1を有する構造を得るようにする。
【選択図】 図1
従来技術、競合技術の概要


良質なエピタキシャル膜の作製には、単結晶基板表面の原子レベルの平坦性が大きく影響されることは知られている。これまで、SrTiO単結晶基板やサファイア単結晶基板については、極めて高い平坦度が得られる処理技術が開発され、その処理技術が例えば特許第3252052号特許公報、特許第3015261号特許公報及び特許第3244966号特許公報などにおいて提案されており、現在は超平坦化技術が確立されているのが実情である。

産業上の利用分野


本発明は、誘電体、磁性体、高温超電導体などの薄膜成長用基板や光触媒材料の発現機構解明のための材料などに適用される単結晶基板の熱処理方法に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
TiOルチル単結晶基板を大気下400°C~1,000°Cの加熱温度で1時間焼成して、選択した面方位(110)の上記TiOルチル単結晶基板の表面に0.32nmの高さの原子ステップ及びテラス構造を得るようにしたことを特徴とする単結晶基板の熱処理方法。

【請求項2】
TiOルチル単結晶基板を大気下400°C~1,100°Cの加熱温度で1時間焼成して、選択した面方位(100)の上記TiOルチル単結晶基板の表面に0.46nmの高さの原子ステップ及びテラス構造を得るようにしたことを特徴とする単結晶基板の熱処理方法。

【請求項3】
TiOルチル単結晶基板を大気下800°C~900°Cの加熱温度で1時間焼成して、選択した面方位(001)の上記TiOルチル単結晶基板の表面に0.30nmの高さの原子ステップ及びテラス構造を得るようにしたことを特徴とする単結晶基板の熱処理方法。

【請求項4】
TiOルチル単結晶基板を大気下500°C~900°Cの加熱温度で1時間焼成して、選択した面方位(111)の上記TiOルチル単結晶基板の表面に0.22nmの高さの原子ステップ及びテラス構造を得るようにしたことを特徴とする単結晶基板の熱処理方法。

【請求項5】
TiOルチル単結晶基板を大気下600°C~800°Cの加熱温度で1時間焼成して、選択した面方位(101)の上記TiOルチル単結晶基板の表面に0.25nmの高さの原子ステップ及びテラス構造を得るようにしたことを特徴とする単結晶基板の熱処理方法。

【請求項6】
前処理としてTiOルチル単結晶基板の表面を有機溶剤で洗浄し、ついで酸性溶剤で洗浄しておくことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の単結晶基板の熱処理方法。
国際特許分類(IPC)
画像

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JP2003077151thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST エネルギーの高度利用に向けたナノ構造材料・システムの創製 領域
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