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ファイバグレーティングおよびファイバグレーティングの作製方法

国内特許コード P110003417
整理番号 E060P43
掲載日 2011年6月21日
出願番号 特願2004-501953
登録番号 特許第3950138号
出願日 平成15年4月24日(2003.4.24)
登録日 平成19年4月27日(2007.4.27)
国際出願番号 JP2003005260
国際公開番号 WO2003091774
国際出願日 平成15年4月24日(2003.4.24)
国際公開日 平成15年11月6日(2003.11.6)
優先権データ
  • 特願2002-125536 (2002.4.26) JP
発明者
  • 細野 秀雄
  • 平野 正浩
  • 河村 賢一
  • 大登 正敬
出願人
  • 独立行政法人科学技術振興機構
  • 昭和電線ケーブルシステム株式会社
発明の名称 ファイバグレーティングおよびファイバグレーティングの作製方法
発明の概要

光源(6)から出力するフェムト秒レーザまたはピコ秒レーザは、ビームスプリッタ(7)により2つのビームに分割され、光ファイバ心線(13)のコア付近で干渉し、このときにおける干渉縞の光強度分布によりガラス屈折率に変化が生じ、これにより、コア(1)にグレーティングが書き込まれる。

従来技術、競合技術の概要


ファイバグレーティングは、光の照射により光ファイバのコア内に周期的屈折率変化を起させて回折格子(以下「グレーティング」という。)を作製したものであり、特定の波長(Bragg波長)の光信号のみを反射する機能を備えていることから、光デバイス若しくは光フィルタとして多用されている。



従来、このようなグレーティングの書き込み対象となる光ファイバとしては、所定量のゲルマニウムを含有するシリカガラスから成るコアの外周にシリカガラスから成るクラッドを設けて成るものが知られている。

産業上の利用分野


本発明は、ファイバグレーティングおよびファイバグレーティングの作製方法に係わり、特にゲルマニウムなどの感光性不純物を含有しないシリカガラスから成るコアにグレーティングが書き込まれたファイバグレーティングおよびファイバグレーティングの作製方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】 フッ素を100~1000ppmおよびOH基を4~7ppm含有し、かつゲルマニウムを含有しないシリカガラスから成るコアの外周に、フッ素を1000~7000ppmまたはホウ素を2000~10000ppm含有したシリカガラスから成るクラッドを備え、前記コアには、フェムト秒レーザまたはピコ秒レーザの照射によりグレーティングが書き込まれていることを特徴とするファイバグレーティング。
【請求項2】 前記クラッドは、光軸に平行な複数の中空孔を備えることを特徴とする請求項1記載のファイバグレーティング。
【請求項3】 フッ素を100~1000ppmおよびOH基を4~7ppm含有し、かつゲルマニウムを含有しないシリカガラスから成るコアの外周に、フッ素を1000~7000ppmまたはホウ素を2000~10000ppm含有したシリカガラスから成るクラッドを備えるとともに、前記クラッドの外周に保護被覆層を備える光ファイバに対し、コヒーレントな2つのフェムト秒レーザまたはピコ秒レーザを干渉させて生じた干渉光を前記保護被覆層の外側から照射することにより、前記コアにグレーティングを書き込むことを特徴とするファイバグレーティングの作製方法。
【請求項4】 前記クラッドの外表面に平坦部が設けられ、前記平坦部に前記干渉光が照射されることを特徴とする請求項3記載のファイバグレーティングの作製方法。
産業区分
  • 光学装置
  • 高分子化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2004501953thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO 細野透明電子活性プロジェクト 領域
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