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成膜装置用マスキング機構 コモンズ

国内特許コード P110003433
整理番号 A051P353
掲載日 2011年6月21日
出願番号 特願2004-537609
登録番号 特許第4168425号
出願日 平成15年9月19日(2003.9.19)
登録日 平成20年8月15日(2008.8.15)
国際出願番号 JP2003011950
国際公開番号 WO2004027107
国際出願日 平成15年9月19日(2003.9.19)
国際公開日 平成16年4月1日(2004.4.1)
優先権データ
  • 特願2002-275365 (2002.9.20) JP
発明者
  • 鯉沼 秀臣
  • 山本 幸生
  • 松本 祐司
  • 高橋 竜太
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 成膜装置用マスキング機構 コモンズ
発明の概要 エッジ法線ベクトルが互いに120°をなす、第一のシングル作用エッジ(11a)、第二のシングル作用エッジ(11b)及び第三のシングル作用エッジ(11c)を有するマスク(11)と、マスク(11)を基板(12)に対して一軸方向(A)に移動させる駆動装置とからなり、同一の基板領域にエッジ毎に蒸着物質を変えて、マスク(11)を一軸方向(A)に一定速度で移動しながら蒸着することにより、膜厚勾配方向が互いに120°をなす三成分薄膜を重畳して三元系相図薄膜(13)を形成する。
産業上の利用分野


本発明は、三元系相図に対応した薄膜を作製するための成膜装置用のマスキング機構に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
一枚のマスクと、このマスクを基板に対して一軸方向に移動させる駆動装置とからなり、
上記マスクが、上記一軸方向と90°+α(0°≦α<90°)をなす辺を有し、
このマスクは、第一の開口部と第二の開口部を有し、
上記第一の開口部が上記一軸方向に対して30°+αをなす辺を有し、上記第二の開口部が上記一軸方向に対して-30°+αをなす辺を有し、
上記マスクの上記一軸方向と90°+αをなす辺を第一のシングル作用エッジとし、上記一軸方向に対して30°+αをなす辺を第二のシングル作用エッジとし、上記一軸方向に対して-30°+αをなす辺を第三のシングル作用エッジとすることを特徴とする、成膜装置用マスキング機構。

【請求項2】
一枚のマスクと、このマスクを基板に対して一軸方向に移動させる駆動装置とからなり、
上記マスクは、第一のシングル作用エッジ、第二のシングル作用エッジ及び上記一軸方向に底辺を有し他の二辺を作用エッジとする三角形状のダブル作用エッジを有し、
上記第一のシングル作用エッジの法線単位ベクトルが上記一軸方向と30°をなし、上記第二のシングル作用エツジの法線単位ベクトルが上記一軸方向と-30°をなすことを特徴とする、成膜装置用マスキング機構。

【請求項3】
一枚のマスクと、このマスクを基板に対して一軸方向に移動させる駆動装置とからなり、
上記マスクは、少なくとも上記一軸方向に底辺を有する三角形状の開口部と、上記一軸方向に直交する辺とを有し、
上記三角形状の開口部の底辺以外の二辺と上記一軸方向に直交する辺とをトリプル作用エッジとし、
上記三角形状の開口部の移動の速度と、上記一軸方向に直交する辺の移動の速度とをそれぞれ選択することにより、これらの移動速度で定まる所定の方向に膜厚勾配を形成することを特徴とする、成膜装置用マスキング機構。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2004537609thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 単一分子・原子レベルの反応制御 領域
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