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電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法 実績あり

国内特許コード P110003731
整理番号 A112P56-2
掲載日 2011年6月28日
出願番号 特願2006-128789
公開番号 特開2006-336107
登録番号 特許第5122082号
出願日 平成18年5月8日(2006.5.8)
公開日 平成18年12月14日(2006.12.14)
登録日 平成24年11月2日(2012.11.2)
発明者
  • 中村 新男
  • 竹田 美和
  • 藤原 康文
  • 茜 俊光
  • 町田 英明
  • 大平 達也
  • 野津 定央
  • 下山 紀男
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
  • 株式会社トリケミカル研究所
発明の名称 電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法 実績あり
発明の概要 【課題】 高性能な電子デバイスが得られる技術を提供することである。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなエルビウムを添加した電子デバイスを提供することである。
【解決手段】 Er,ErN,ErP,ErAs,ErSb、酸素と結合したErを含むGaAs又はGa(1-x)InP(xは0~1の数)の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する方法であって、
トリス-エチルシクロペンタジエニル-エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設ける。
従来技術、競合技術の概要


今日、電子材料分野における進歩は著しく、高速電子デバイス、発光デバイスからレーザに至るまで多岐に応用されている。そして、近年、電子デバイスの分野では、ErPに代表されるランタノイド元素(Ln)とV族元素とからなる化合物を量子井戸とする二重障壁共鳴トンネルダイオードが期待されている。



すなわち、Ga(1-x)InP/LnP/Ga(1-x)InPの如きのヘテロ構造を作成し、LnP層の厚さを厳密に制御してエピタキシャル成長することが出来たならば、半金属と半導体のコントロ-ルが可能となり、種々の超高速電子デバイスを展望することが出来ると考えられる。



又、光の分野でも、LnのGaAsやGa(1-x)InPへの添加は通信システムにおける発光デバイスとしての応用が期待されており、特に、発光効率の安定化と発光効率の向上が待たれている。



現在、GaAsに代表される化合物半導体の製造法は、有機金属化学気相成長法(MOCVD)が主流である。



ところで、ランタノイド元素-V族元素のエピタキシャル成長やランタノイド元素の添加においても、良好なランタノイド有機金属原料が求められる。気化性が有るランタノイド有機金属は、β-ジケトネイトランタノイドが知られているが、このものは、固体であり、安定した蒸気が得られ難く、しかも分解性が悪いことから使用できない。そして、発光効率が良いランタノイド元素を添加した化合物半導体は得られていない。

産業上の利用分野


本発明は電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
基体上に電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物の膜を形成する方法であって、
トリス-エチルシクロペンタジエニル-エルビウムを分解させる工程を有する
ことを特徴とする電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法。

【請求項2】
Er,ErN,ErP,ErAs,ErSb、酸素と結合したErを含むGaAs又はGa(1-x)InP(xは0~1の数)の群の中から選ばれる電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物の膜を形成する方法であって、
トリス-エチルシクロペンタジエニル-エルビウムを分解させる工程を有する
ことを特徴とする電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法。

【請求項3】
発光デバイスにおける導電性ヘテロ構造化合物膜を形成することを特徴とする請求項1又は請求項2の電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 電子・光子等の機能制御 領域
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