TOP > 国内特許検索 > ジホスフィン化合物の製造方法、この製造方法により製造されるジホスフィン化合物及び中間生成物

ジホスフィン化合物の製造方法、この製造方法により製造されるジホスフィン化合物及び中間生成物

国内特許コード P110004155
整理番号 N052P52
掲載日 2011年7月7日
出願番号 特願2007-557791
登録番号 特許第5223045号
出願日 平成19年1月30日(2007.1.30)
登録日 平成25年3月22日(2013.3.22)
国際出願番号 JP2007051432
国際公開番号 WO2007091446
国際出願日 平成19年1月30日(2007.1.30)
国際公開日 平成19年8月16日(2007.8.16)
優先権データ
  • 特願2006-030520 (2006.2.8) JP
発明者
  • 山口 健太郎
  • 檀上 博史
  • 小泉 徹
  • 今本 恒雄
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
  • 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 ジホスフィン化合物の製造方法、この製造方法により製造されるジホスフィン化合物及び中間生成物
発明の概要 【課題】
本発明は、簡単な合成工程で様々な構造のジホスフィン化合物を得ることができる新規なジホスフィン化合物の製造方法、この製造方法により製造されるジホスフィン化合物及び中間生成物を提供することを目的とする。
【解決手段】
ジホスフィン化合物を製造する方法であって、この製造方法は、ビス(ホスフィン)ボロニウム塩と、求電子部位を少なくとも2点有する求電子剤とのカップリング反応により中間生成物を合成した後に、脱ボロニウム剤で処理することを特徴とするジホスフィン化合物の製造方法。
【選択図】 図2
従来技術、競合技術の概要


立体的に込み合った構造を有するホスフィン配位子が、クロスカップリングをはじめとする種々の遷移金属触媒反応に有効であることが報告されており、ホスフィン化合物の合成に関する研究は、現在、国内外で最も重要な課題として取り組まれている分野となっており(例えば、特許文献1~3)、実用性の高い触媒的有機変換工程の開発に対する重要なアプローチとして興味が寄せられている。



【特許文献1】
特開2001-253889号公報
【特許文献2】
特開2003-292498号公報
【特許文献3】
特開2003-313194号公報

産業上の利用分野


本発明は、種々の遷移金属触媒反応などに有効であるジホスフィン化合物、ジホスフィン化合物の製造方法、この製造方法により製造されるジホスフィン化合物及び中間生成物に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
下記一般式(1)
【化1】


の構造を有するジホスフィン化合物を製造する方法であって、この製造方法は、下記一般式(2)
【化2】


の構造を有するビス(ホスフィン)ボロニウム塩と、求電子部位を少なくとも2点有する求電子剤とのカップリング反応により下記一般式(3)
【化3】


の構造を有する中間生成物を合成した後に、脱ボロニウム剤で処理することを特徴とするジホスフィン化合物の製造方法(前記一般式(1)~(3)中、R、R、R、Rは、アルキル基、アリール基、水素基、又はアルコキシ基から選択されたいずれか一種の置換基であり、前記一般式(2)、(3)中、Xは、F、Cl、Br、I、CFSO、BF、PF又はSbFから選択されたいずれか一種のアニオンであり、前記一般式(1)、(3)中、Yは、前記求電子剤の構造によって決定される骨格部位である。)。

【請求項2】
ビス(ホスフィン)ボロニウム塩における少なくとも一方のリン原子が不斉中心を有する請求項1に記載のジホスフィン化合物の製造方法。

【請求項3】
ビス(ホスフィン)ボロニウム塩における置換基R、R、R及びRのうちの少なくとも一つが、分枝構造を有するアルキル基、環状構造を有するアルキル基、又はアリール基である請求項1又は2に記載のジホスフィン化合物の製造方法。

【請求項4】
ビス(ホスフィン)ボロニウム塩における置換基R、R、R及びRのうちの少なくとも一つが、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、t-ブチル基、アダマンチル基、ベンジル基、フェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、3,5-キシリル基、3,5-ジイソプロピルフェニル基、p-アニシル基、p-トリフルオロメチルフェニル基、α-ナフチル基、β-ナフチル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、又はフェノキシ基である請求項1ないし3のいずれか1項に記載のジホスフィン化合物の製造方法。

【請求項5】
求電子剤が、α,α´‐ジハロアルカン、α,α´‐ジ(スルホニルオキシ)アルカン、アルキレンスルファート、α,α´‐ジアルキル‐α,α´‐ジハロキシレン、α,α´‐ジアルキル‐α,α´‐ジ(スルホニルオキシ)キシレン、α,α´‐ジアルキル‐α,α´‐キシリレンスルファート、ジケトン、ジアルデヒド、ジイミン、α,α´‐ジケトキシレン、α,α´‐ジホルミルキシレン、α,α´‐ジイミノキシレン、1,2‐ジハロベンゼン、η6‐1,2‐ジハロベンゼン金属錯体、2,2´‐ジハロ‐1,1´‐ビフェニル又は2,2´‐ジ(スルホニルオキシ)‐1,1´‐ビフェニルから選ばれる請求項1ないしのいずれか1項に記載のジホスフィン化合物の製造方法。

【請求項6】
脱ボロニウム剤が、フッ化水素、フッ化金属塩、フッ化テトラブチルアンモニウム、フッ化ピリジニウム、三フッ化N,N´‐ジエチルアミノ硫黄、重フッ化テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウムトリフェニルジフルオロスズ、ジフルオロトリメチルシリルトリス(ジメチルアミノ)硫黄、水素化リチウムアルミニウム、水素化ビス(メトキシエトキシ)アルミニウムから選ばれた少なくとも1種以上である請求項1ないし5のいずれか1項に記載のジホスフィン化合物の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

JP2007557791thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 医療に向けた自己組織化等の分子配列制御による機能性材料・システムの創製 領域
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close