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電子素子とその製造方法

国内特許コード P110004167
整理番号 I021P004
掲載日 2011年7月7日
出願番号 特願2008-054671
公開番号 特開2009-210458
登録番号 特許第5360739号
出願日 平成20年3月5日(2008.3.5)
公開日 平成21年9月17日(2009.9.17)
登録日 平成25年9月13日(2013.9.13)
発明者
  • 櫻井 亮
  • 王 玉光
  • 青野 正和
出願人
  • 独立行政法人物質・材料研究機構
発明の名称 電子素子とその製造方法
発明の概要

【課題】ショットキー障壁を生じさせず,所望する電気伝導特性を有する電子素子及び電子素子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る電子素子では,離間されて配置された一対の電極102と,電極102間それぞれに接続され,半導体的性質を有する半導体ナノワイヤ101とを備え,電極102が,ナノワイヤ101と同一の材料又は同一の半導体的性質を有する材料からなることを特徴とする。
【選択図】図1

従来技術、競合技術の概要


従来,特許文献1に記載されているように,ナノ単位の範囲の直径を有する棒状の形状のナノワイヤ等のナノ構造物を利用したセンサが知られている。しかし、従来のこれら電子素子では,ナノ構造物の電気伝導特性は、それ自体が構成された時点で定まったものとされている。特に、化合物や酸化物半導体ナノワイヤを気相成長などで作成する場合、不純物ドープ量を制御することが困難である。このため、これらを用いて電子素子を構成した後に、要求される電気伝導特性に変更があった場合などに全く対応できないものであった。



また、半導体ナノワイヤ等のナノ構造物に電極を結合するとき、材質の相違に起因して電極と半導体ナノワイヤとの間にショットキー障壁が形成される。ショットキー障壁とは,電極の金属材料とナノワイヤの半導体との間の生じる電圧のバリアをいう。ショットキー障壁が金属と半導体の結合部における抵抗値の変動を生じさせ,電気伝導特性を悪化させ,低電圧にて安定的に動作させることが困難であるという問題があった。




【特許文献1】特表2007-528003号公報

産業上の利用分野


本発明は、電極間にナノ構造物を配置した電子素子とその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
電極間にナノ構造物を配置した電子素子であって,
前記電極とナノ構造物とが同材質の半導体材料より構成され、
前記電極と前記ナノ構造物を電気的に接続した後、不純物の濃度を制御しつつ前記電極と前記ナノ構造物にドープすることにより前記ナノ構造物の電気伝導特性が調整され、ショットキー障壁を生じさせないことを特徴とする電子素子。

【請求項2】
請求項1に記載の電子素子であって、前記ナノ構造物がナノワイヤであることを特徴とする電子素子。

【請求項3】
前記半導体材料が酸化物半導体である、請求項1または2に記載の電子素子。

【請求項4】
請求項1~3のいずれか1項に記載の電子素子の製造方法であって、
基板に電極とナノ構造物とを同材質の半導体材料で形成し、前記電極と前記ナノ構造物を電気的に接続させた後、不純物濃度を制御しつつ前記電極と前記ナノ構造物にドープして、前記ナノ構造物の電気伝導特性を調整するとともに、ショットキー障壁を生じさせないことを特徴とする電子素子の製造方法。
産業区分
  • 測定
  • その他機械要素
  • 固体素子
  • 試験、検査
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2008054671thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
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