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銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムおよびその製造方法 コモンズ

国内特許コード P110004773
掲載日 2011年8月18日
出願番号 特願2000-192815
公開番号 特開2002-004067
登録番号 特許第3265364号
出願日 平成12年6月27日(2000.6.27)
公開日 平成14年1月9日(2002.1.9)
登録日 平成14年1月11日(2002.1.11)
発明者
  • 稲垣 訓宏
  • 田坂 茂
出願人
  • 学校法人静岡大学
発明の名称 銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムおよびその製造方法 コモンズ
従来技術、競合技術の概要 ポリイミドフィルムは、優れた機械的強度、耐熱性、絶縁性を有するため、このフィルムに銅を複合化したものはフレキシブル印刷配線板(FPC)の素材として利用されている。前記ポリイミドフィルムは、銅との密着性が乏しい。このため、従来、ポリイミドフィルムに銅を複合化する場合はポリイミドフィルムに銅薄膜(例えば銅箔)を接着剤を介して接着している。しかしながら、接着剤によるポリイミドフィルムと銅箔との複合化はその接着剤層の介在により最終製品であるフレキシブル印刷配線板の薄膜化の妨げになる。また、接着剤層の耐熱性によりフレキシブル印刷配線板の耐熱性が制約され、用途が制限される。
産業上の利用分野 本発明は、フレキシブル印刷配線板の素材等に用いられる銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムおよびその製造方法に関する。
特許請求の範囲 【請求項1】 一般式-Si(R-CN)n(ただし、Rは炭素数1~6のアルキル基、nは1から3の正数を示す)にて表されるシアノ基を有する有機シラン化合物が表面の炭素原子に結合されて改質されたポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの改質表面に直接結合された銅薄膜とからなることを特徴とする銅薄膜直接接合ポリイミドフィルム。
【請求項2】 前記銅薄膜は、銅の真空蒸着またはスパッタリングにより前記ポリイミドフィルム表面に堆積された銅薄膜と、この銅薄膜上に電気銅めっきにより堆積された電気銅めっき薄膜との二層構造を有することを特徴とする請求項1記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルム。
【請求項3】 ポリイミドフィルムにプラズマ処理を施して前記フィルム表面の炭素を活性化した後、大気に曝して活性な炭素に酸素を結合させることにより前記フィルム表面に酸素官能基を導入する工程と、前記ポリイミドフィルムの酸素官能基と一般式(R’O)(4-n)-Si(R-CN)n(ただし、R,R’は炭素数1~6のアルキル基、nは1から3の正数を示す)にて表されるシランカップリング剤とをカップリング反応させて前記ポリイミドフィルム表面の炭素原子に一般式-Si(R-CN)n(ただし、Rは炭素数1~6のアルキル基、nは1から3の正数を示す)にて表されるシアノ基を有する有機シラン化合物を導入して表面改質する工程と、前記表面改質されたポリイミドフィルム表面に銅の真空蒸着またはスパッタリングにより銅薄膜を堆積する工程とを具備することを特徴とする銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項4】 前記プラズマ処理は、アルゴンプラズマによりなされることを特徴とする請求項3記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項5】 前記酸素官能基の導入量は、前記ポリイミドフィルムの表面においてそのポリイミドの構成原子である炭素とこの炭素に部分的に結合される酸素との原子比(QO/QC、ここでQCはポリイミドフィルム表面の全炭素量、QOはこの炭素に部分的に結合される酸素の量)で0.23~0.60であることを特徴とする請求項3記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項6】 前記カップリング反応は、前記シランカップリング剤のアルコール溶解液に前記酸素官能基が導入されたポリイミドフィルムを浸漬し、加熱することによりなされることを特徴とする請求項3記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項7】 さらに前記銅薄膜表面に電気銅めっきにより電気銅めっき薄膜を堆積することを特徴とする請求項3記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。
産業区分
  • 表面処理
  • 高分子化合物
  • 電子部品
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中
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