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カ-ボンナノチユ-ブ及びカ-ボンナノチユ-ブ膜の製造方法 コモンズ 外国出願あり

国内特許コード P110005198
掲載日 2011年8月18日
出願番号 特願平09-087518
公開番号 特開平10-265208
登録番号 特許第3183845号
出願日 平成9年3月21日(1997.3.21)
公開日 平成10年10月6日(1998.10.6)
登録日 平成13年4月27日(2001.4.27)
発明者
  • 楠 美智子
出願人
  • 財団法人ファインセラミックスセンター
発明の名称 カ-ボンナノチユ-ブ及びカ-ボンナノチユ-ブ膜の製造方法 コモンズ 外国出願あり
発明の概要 (57)【要約】【課題】 カーボンナノチューブの新規な製造方法、及び、膜の厚み方向に配向した多数本のカーボンナノチューブからなるナノチューブ膜の製造方法を提供する。【解決手段】 真空下でSiCを加熱して該SiCから珪素原子を除去することにより、珪素原子が除去された部分の上記SiCにカーボンナノチューブが形成される。この方法によると、カーボンナノチューブを高収率で且つ純度良く製造することができる。また、この方法により形成されたカーボンナノチューブはSiC結晶の表面に対して垂直に配向する傾向があるので、上記カーボンナノチューブからなる高配向のナノチューブ膜を得ることができる。この方法によると、大面積のナノチューブ膜を容易に製造可能である。
従来技術、競合技術の概要

カーボンナノチューブは、グラファイト膜を丸めた円筒が複数個入れ子になったものである。従来、このカーボンナノチューブを製造する方法としては、不活性ガス雰囲気下において原料であるアモルファスカーボンにアーク放電又はレーザ照射等を行って炭素を蒸発させ、蒸発した炭素を炭素棒上等に凝縮(再結合)させることにより、上記炭素棒上等にカーボンナノチューブを成長させる方法が一般的である。


上記製造方法によると、炭素棒上等にはカーボンナノチューブとともにアモルファスカーボン、グラファイト及びフラーレンが形成される。そこで、カーボンナノチューブの収率又は収量を増すため、或いはカーボンナノチューブの生産性を向上させるための製造方法が提案されている。例えば、特許第2546511号公報に記載の高周波プラズマを用いたフラーレン及びカーボンナノチューブの合成方法、特開平6-280116号公報に記載の特定の圧力範囲でアーク放電を行うカーボンナノチューブの製造方法等が挙げられる。

産業上の利用分野

本発明は、カーボンナノチューブの製造方法、及び、厚み方向によく配向した多数本のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ膜の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】 真空下においてSiCを、該真空の真空度においてSiCが分解して珪素原子が失われる温度に加熱することにより、該SiCから珪素原子を除去することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項2】 上記真空の真空度は10-4~10-10Torrである請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項3】 上記加熱の温度は1200~2200℃である請求項1又は2記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項4】 膜の厚み方向に延びるように配向した多数本のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ膜を製造する方法であって、真空下においてSiCを、該真空の真空度においてSiCが分解して珪素原子が失われる温度に加熱することにより、該SiCから珪素原子を除去することを特徴とするカーボンナノチューブ膜の製造方法。
【請求項5】 上記真空の真空度は10-5~10-9Torrである請求項4記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法。
【請求項6】 上記加熱の温度は1400~2000℃である請求項4又は5記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法。
【請求項7】 基板の表面にSiC単結晶膜を形成し、次いで真空下において該SiC単結晶膜を、該真空の真空度においてSiCが分解して珪素原子が失われる温度に加熱することにより、該SiC単結晶膜から珪素原子を除去して、該SiC単結晶膜の少なくとも表面側の一部厚さに、該SiC単結晶膜の厚み方向に延びるように配向した多数本のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ膜を形成することすることを特徴とするカーボンナノチューブ膜の製造方法。
産業区分
  • 無機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中


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