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トランス体のエチレン誘導体の製造方法 コモンズ 新技術説明会

国内特許コード P110005231
整理番号 P06-022
掲載日 2011年8月18日
出願番号 特願2007-091718
公開番号 特開2008-247817
登録番号 特許第5044788号
出願日 平成19年3月30日(2007.3.30)
公開日 平成20年10月16日(2008.10.16)
登録日 平成24年7月27日(2012.7.27)
発明者
  • 伊藤 直次
  • 佐藤 剛史
  • 伊藤 智志
出願人
  • 国立大学法人宇都宮大学
発明の名称 トランス体のエチレン誘導体の製造方法 コモンズ 新技術説明会
発明の概要

【課題】簡便、高速、経済性が高く、環境に対する負荷も小さく、さらに工業的に採用しやすい、トランス体のエチレン誘導体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表されるシス体のエチレン誘導体を、不活性雰囲気又は超臨界二酸化炭素雰囲気下で、50℃以上、300℃以下の温度で保持するシス-トランス異性化反応工程を有するトランス体のエチレン誘導体の製造方法とすることによって、上記課題を解決する。一般式(1)中、R及びRは、それぞれ独立に、炭素数1~18の直鎖又は分岐のアルキル基等の所定の基を表す。

【選択図】なし

従来技術、競合技術の概要


エチレン誘導体のシス-トランス異性化反応は、基本的な有機合成反応として重要なものであり、エチレン誘導体の化合物によってはトランス体の価格がシス体の価格の数倍となることもあるため、高付加価値を生み出す反応でもある。



こうしたエチレン誘導体のシス-トランス異性化反応、より具体的には、シス体のエチレン誘導体をトランス体のエチレン誘導体に異性化する反応は、光照射下にて数日~数週間のオーダーで行う方法、高価な触媒を用いて行う方法がある。また、触媒にハロゲン等を用いて行う方法もある。さらに、熱的にシス-トランス異性化反応を行う方法(非特許文献1)もある。非特許文献1では、469℃でシス-ブテン-2のシス-トランス異性化反応が行われている。

【非特許文献1】B.S.Rabinovitch and K.-W.Michel,“The thermal unimolecular cis-trans isomerization of cis-butene-2”J.Am.Chem.Soc.,81,5065-5071(1959)

産業上の利用分野


本発明は、トランス体のエチレン誘導体の製造方法、このトランス体のエチレン誘導体の製造方法によって製造されるエチレン誘導体、及びトランス体のエチレン誘導体の製造装置に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
下記一般式(1)で表されるシス体のエチレン誘導体を、不活性雰囲気又は超臨界二酸化炭素雰囲気下で、無溶媒及び無触媒下で、50℃以上、300℃以下の温度で保持するシス-トランス異性化反応工程を有することを特徴とするトランス体のエチレン誘導体の製造方法。
【化学式1】


(一般式(1)中、R及びRは、それぞれ独立に、-SOで表わされるスルホニル基を表す。Rはフェニル基を表す。)
産業区分
  • 有機化合物
  • 処理操作
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中
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