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電子部品パッケージ

国内特許コード P120006600
整理番号 S2009-0932
掲載日 2012年2月6日
出願番号 特願2010-163551
公開番号 特開2011-044700
登録番号 特許第5757554号
出願日 平成22年7月21日(2010.7.21)
公開日 平成23年3月3日(2011.3.3)
登録日 平成27年6月12日(2015.6.12)
優先権データ
  • 特願2009-169960 (2009.7.21) JP
発明者
  • 匹田 政幸
  • 大村 一郎
  • ティアリ レベイ
出願人
  • 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 電子部品パッケージ
発明の概要 【課題】ハーメチックパッケージ内に封入される電気負性ガス絶縁の使用により、広い温度領域での半導体デバイスの動作を可能にする。
【解決手段】本発明は、電子部品、及び該部品を装着した基板を密閉構造のパッケージ内に封入する。この密閉構造のパッケージ内に、パーフロロカーボン系ガスの電気負性絶縁ガスを封入し、かつ、パーフロロカーボン系ガスの液化防止手段を備えた。
【選択図】 図1
従来技術、競合技術の概要


従来より、電子部品を真空中或いは不活性ガス中に封入した電子部品パッケージが公知である(特許文献1、2、3、4参照)。図15は、特許文献1に開示の電子部品パッケージの断面図である。図示のように、気密状のメタルパッケージの中には内部基板が固定され、その上に電子部品が装着されている。プリント基板にハンダ付けによって固定された複数のリードピンが、メタルパッケージの底部を挿通して、パッケージ内部において、Al等のワイヤにより内部基板と接続される。メタルパッケージは、N2、Ar等の不活性ガス中で上板をかぶせ、4辺をシーム溶接等で封止されている。



図示の電子部品パッケージは、電子部品等からの発熱がパッケージ内部基板、プリント基板を介して放熱できるという利点があるが、しかし、N2、Ar等の不活性ガスの封入は、防湿、防食を目的としたものであって、耐圧、耐熱には通用しない。図示の電子部品パッケージは、電子部品等からの発熱を十分に放熱させるための放熱構造が必要となっている。また、特許文献4は、絶縁耐圧の向上や絶縁寸法の縮小化のために、絶縁強度の大きいハロゲン元素を有するガスを減圧状態で封入したガス封入半導体素子を開示する。しかし、ハロゲン元素を有するガスを減圧状態で封入するのみでは、低温から高温までの広い温度範囲に渡って、絶縁耐圧を良好に維持することはできない。



後述のように、本件発明者が実験した結果、N2環境下で、放電開始電圧DIV(discharge inception voltage)耐圧はSF6ガスの1/2以下であり、N2はそれ単独では、絶縁媒体ガスとしては使用できないことを確認している。

産業上の利用分野


本発明は、電子部品などを密閉構造のパッケージ内に封入した電子部品パッケージに関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
電子部品、及び該部品を装着した基板を密閉構造のパッケージ内に絶縁性ガスを封入して、少なくとも-50℃から450℃の広い温度領域で絶縁性を維持する電子部品パッケージにおいて、
前記密閉構造のパッケージ内に、前記絶縁性ガスとしてパーフロロカーボン系ガスを封入し、かつ、
該パーフロロカーボン系ガスの液化防止手段として、電子部品パッケージの外面にヒーターを配設した
ことから成る電子部品パッケージ。

【請求項2】
前記パーフロロカーボン系ガスは、八フッ化プロパンC3F8或いはパーフルオロシクロブタンC4F8である請求項1に記載の電子部品パッケージ。

【請求項3】
前記密閉構造のパッケージは、ベースと、該ベースの外周において接合される蓋体とから構成される請求項1に記載の電子部品パッケージ。

【請求項4】
前記電子部品を内部基板の上に実装して、この内部基板裏面の配線からベース内部を貫通して、前記ベース裏面のリード端子に接続し、かつ、前記電子部品の上側に設けた抑え板と蓋体内面との間に挿入したスプリングにより前記内部基板を前記ベースに対して圧接することにより、前記内部基板裏面配線の電気的接続を行う請求項に記載の電子部品パッケージ。

国際特許分類(IPC)
画像

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JP2010163551thum.jpg
出願権利状態 登録
詳細は、下記「問合せ先」まで直接お問い合わせください。


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