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ジスルホン酸化合物の製法、不斉マンニッヒ触媒、β-アミノカルボニル誘導体の製法及び新規なジスルホン酸塩 外国出願あり

国内特許コード P120006630
整理番号 NU-0225
掲載日 2012年2月14日
出願番号 特願2009-538039
登録番号 特許第5408662号
出願日 平成20年10月1日(2008.10.1)
登録日 平成25年11月15日(2013.11.15)
国際出願番号 JP2008067854
国際公開番号 WO2009054240
国際出願日 平成20年10月1日(2008.10.1)
国際公開日 平成21年4月30日(2009.4.30)
優先権データ
  • 特願2007-276589 (2007.10.24) JP
  • 特願2007-276590 (2007.10.24) JP
発明者
  • 石原 一彰
  • 波多野 学
  • 牧 利克
出願人
  • 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 ジスルホン酸化合物の製法、不斉マンニッヒ触媒、β-アミノカルボニル誘導体の製法及び新規なジスルホン酸塩 外国出願あり
発明の概要 (R)-1,1’-ビナフチル-2,2’-ジチオールと水酸化カリウムを入れた反応容器にヘキサメチルホスホルアミド(HMPA)を加えた。次いで、酸素で容器内をパージして、7気圧の酸素下80℃で5日間撹拌した。室温まで冷却した後、精製し、(R)-1,1’-ビナフチル-2,2’-ジスルホン酸カリウムを得た。このジスルホン酸塩から得られる(R)-1,1’-ビナフチル-2,2’-ジスルホン酸と2,6-ジフェニルピリジンとをアセトニトリル中で撹拌した後、溶媒を減圧留去した。その後、硫酸マグネシウムと蒸留したCH2Cl2を加え、室温にて30分撹拌した。この溶液を0℃に冷却し、窒素がCbzで保護されたベンズアルデヒドイミン、次いでアセチルアセトンを1時間かけて滴下し、滴下後さらに0℃にて30分撹拌した。これにより、対応するβ-アミノカルボニル誘導体を収率91%、鏡像体過剰率90%eeで得た。
従来技術、競合技術の概要



従来より、1,1’-ビナフチル-2,2’-ジスルホン酸の有用性が知られている。例えば、特許文献1には、光学活性アミンへの不斉補助基導入剤として利用できることが開示されている。すなわち、(S)-1,1’-ビナフチル-2,2’-ジスルホン酸を塩化チオニルによりジスルホン酸クロリドに誘導し、これとアセトニトリルに溶解させたラセミの1-フェニルエチルアミンとを反応させ、得られたN-(1-フェニルエチル)-1,1’-ビナフチル-2,2’-ジスルホン酸アミドのジアステレオマー混合物をNMR測定したところ、各ジアステレオマーのアミド部分のフェニル基のα位プロトンに由来する非等価なピークが検出されることを確認している。この特許文献1には、1,1’-ビナフチル-2,2’-ジスルホン酸の製法として、1,1’-ビナフチルの2,2’位に-SC(=O)NR2が結合した化合物とN-ブロモスクシミドとを第3級アルコールの存在下で反応させて2,2’位に-SO2Brが結合した化合物に誘導し、これを加水分解処理する手順が記載されている。





一方、アルジミン化合物とカルボニル化合物とのマンニッヒ(Mannich)反応により、β-アミノカルボニル誘導体が得られることが知られている。β-アミノカルボニル誘導体は、医農薬をはじめ多くの分野で利用されている。近年、1,1’-ビナフチル-2,2’-ジオールから誘導される光学活性なリン酸誘導体を触媒としてマンニッヒ反応を行うことにより、光学活性なβ-アミノカルボニル誘導体を高い鏡像体過剰率(ee)で得る方法も提案されている(非特許文献1参照)。具体的には、リン酸誘導体のナフタレン環が無置換の場合には反応生成物である光学活性なβ-アミノカルボニル誘導体の鏡像体過剰率は12%eeと低いが、リン酸誘導体のナフタレン環の3,3’-にフェニル基を有する場合には56%eeまで上昇し、3,3’-にビフェニル基を有する場合や3,3’-に4-(β-ナフチル)フェニル基を有する場合にはそれぞれ90%ee、95%eeと高い値を得ている。

【特許文献1】

開2005-132815号公報

【非特許文献1】

. Am. Chem. Soc., vol. 126(2004), No.17, p5356-5357

産業上の利用分野



本発明は、ジスルホン酸化合物の製法、不斉マンニッヒ触媒、β-アミノカルボニル誘導体の製法及び新規なジスルホン酸塩に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
軸不斉を有する光学活性な1,1’-ビアリール-2,2’-ジチオール化合物を強塩基の存在下、加圧酸素で酸化することにより、対応する光学活性なジスルホン酸化合物の塩を得る、
ジスルホン酸化合物の製法。

【請求項2】
前記強塩基は、アルカリ金属の水酸化物であり、前記ジチオール化合物に対して3当量以上用いる、
請求項1に記載のジスルホン酸化合物の製法。

【請求項3】
前記加圧酸素は、5気圧以上の酸素である、
請求項1又は2に記載のジスルホン酸化合物の製法。

【請求項4】
前記1,1’-ビアリール-2,2’-ジチオール化合物を極性非プロトン溶媒中で酸化する、
請求項1~3のいずれか1項に記載のジスルホン酸化合物の製法。

【請求項5】
反応温度を50~100℃とする、
請求項1~4のいずれか1項に記載のジスルホン酸化合物の製法。

【請求項6】
前記ジスルホン酸化合物の塩をカラムを通して精製したあと陽イオン交換樹脂を通すことによりフリーの前記ジスルホン酸化合物を得る、
請求項1~5のいずれか1項に記載のジスルホン酸化合物の製法。

【請求項7】
前記1,1’-ビアリール-2,2’-ジチオール化合物は、1,1’-ビナフチル-2,2’-ジチオール化合物である、
請求項1~6のいずれか1項に記載のジスルホン酸化合物の製法。

【請求項8】
光学活性な1,1’-ビナフチル-2,2’-ジスルホン酸化合物と2,6-二置換ピリジン(置換基はアリール基又は分岐を有するアルキル基)とをモル比で1:0.75~3となるように混合した混合物である、
不斉マンニッヒ触媒。

【請求項9】
前記モル比は1:1~2.5である、
請求項8に記載の不斉マンニッヒ触媒。

【請求項10】
記2,6-二置換ピリジンは、2,6位の置換基が、フェニル基であるか、分岐を有していてもよいアルキル基を有するフェニル基であるか、フェニル基を有するフェニル基である、
請求項8又は9に記載の不斉マンニッヒ触媒。


【請求項11】
請求項8~10のいずれか1項に記載の不斉マンニッヒ触媒の存在下、Ar-CH=NR1(Arはアリール基であり、R1はtert-ブトキシカルボニル(Boc)、ベンジルオキシカルボニル(Cbz)又は2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル(Troc))で表されるアルジミン化合物とカルボニル化合物とのマンニッヒ反応により、光学活性なβ-アミノカルボニル誘導体を得る、
β-アミノカルボニル誘導体の製法。

【請求項12】
前記カルボニル化合物は、1,3-ジケトン又は1,3-ケトエステルである、
請求項11に記載のβ-アミノカルボニル誘導体の製法。

【請求項13】
前記マンニッヒ反応では、反応溶媒としてハロゲン化炭化水素系溶媒、ニトリル系溶媒又は環状エーテル系溶媒を用いる、
請求項11又は12に記載のβ-アミノカルボニル誘導体の製法。

【請求項14】
前記マンニッヒ反応では、反応温度を-40~50℃に設定する、
請求項11~13のいずれか1項に記載のβ-アミノカルボニル誘導体の製法。

【請求項15】
前記マンニッヒ反応は、乾燥剤の存在下で行われる、
請求項11~14のいずれか1項に記載のβ-アミノカルボニル誘導体の製法。

【請求項16】
光学活性な1,1’-ビナフチル-2,2’-ジスルホン酸化合物と2,6-二置換ピリジン(置換基はアリール基又は分岐を有するアルキル基)との塩である、
新規なジスルホン酸塩。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 登録
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