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人工網膜およびその製造方法 新技術説明会

国内特許コード P120006806
整理番号 SHINGI20111129
掲載日 2012年3月6日
出願番号 特願2006-262746
公開番号 特開2008-079799
登録番号 特許第4784757号
出願日 平成18年9月27日(2006.9.27)
公開日 平成20年4月10日(2008.4.10)
登録日 平成23年7月22日(2011.7.22)
発明者
  • 木村 睦
  • 島 武弘
  • 山下 毅彦
  • 浦岡 行治
出願人
  • 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
発明の名称 人工網膜およびその製造方法 新技術説明会
発明の概要 【課題】簡便な方法で製造される人工網膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の人工網膜の製造方法は、(a)基板10を準備する工程と、(b)基板10の上方に第1非晶質層12aを形成する工程と、(c)フォトダイオード40を形成するため第1導電型および第2導電型の不純物をそれぞれ第1非晶質層12aの所定の領域に注入する工程と、(d)第1非晶質層12aの上方に絶縁層14を形成する工程と、(e)絶縁層14の上方に第2非晶質層52aを形成する工程と、(f)第1非晶質層12aおよび第2非晶質層52aを所望の特性を有するレーザーの照射により結晶化し、第1半導体層12および第2半導体層52を形成する工程と、(g)第2半導体52層にMISトランジスタ50を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図2
従来技術、競合技術の概要


従来、網膜色素変性症や黄斑変性症等の疾病によって損傷した網膜に替わって光の信号を検出し、視神経に情報を伝達する人工網膜(人工臓器の1種)の開発が検討されている。例えば、網膜は眼底部の非常に薄い部分の中に複数の機能を有する細胞(視細胞、水平細胞、双極細胞、神経節細胞)から構成されているため、これらの細胞の生理学的な研究等によって明らかにされたメカニズムを取り入れた新しい情報処理システムをLSIチップによって細胞と同様の機能別に実現し、これらLSIチップを3次元的に積層することで人工網膜を製造することが提案されている。



しかし、LSIチップを3次元的に積層するには、シリコンウエハを貫通する埋め込み配線の形成、シリコンウエハの薄膜化のための研磨、積層基板間の接続のための微細なバンプ形成、LSIチップの張り合わせにおける精密な位置合わせ、製造工程に耐えられる接着技術の確立など種々の技術が要求される。



さらに、眼球底部に人工網膜を埋め込むには、曲面状の可撓性材質に人工網膜を形成する技術が必要である。しかし、可撓性材質に通常の半導体プロセスを適用して人工網膜を形成することは困難である。そのため、特許文献1には、人工網膜を構成する複数の薄膜デバイスを曲面状の可撓性材質上に剥離転写しながら順次積層し、人工網膜を製造する製造方法が開示されている。
【特許文献1】
特開2006-51164号公報(2006年2月23日公開)

産業上の利用分野


本発明は、人工網膜およびその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板の上方に第1非晶質層を形成する工程と、
(c)前記第1非晶質層の上方に絶縁層を形成する工程と、
(d)フォトダイオードを形成するため第1導電型および第2導電型の不純物をそれぞれ前記第1非晶質層の所定の領域に注入する工程と、
(e)前記絶縁層の上方に第2非晶質層を形成する工程と、
(f)前記第1非晶質層および前記第2非晶質層をレーザー照射により結晶化し、第1半導体層および第2半導体層を形成する工程と、
(g)前記第2半導体層にMISトランジスタを形成する工程と、を含み、
前記工程(f)において使用される前記レーザーは、前記第2半導体層を通過し、前記第1非晶質層を結晶化することができる波長のレーザーであることを特徴とする人工網膜の製造方法。

【請求項2】
前記工程(c)の前に、前記第1非晶質層をパターニングすること、を含むことを特徴とする請求項1に記載の人工網膜の製造方法。

【請求項3】
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板の上方に第1非晶質層を形成する工程と、
(c)フォトダイオードを形成するため第1導電型および第2導電型の不純物をそれぞれ前記第1非晶質層の所定の領域に注入する工程と、
(d)前記第1非晶質層の上方に絶縁層を形成する工程と、
(e)前記絶縁層の上方に第2非晶質層を形成する工程と、
(f)前記第1非晶質層および前記第2非晶質層をレーザー照射により結晶化し、第1半導体層および第2半導体層を形成する工程と、
(g)前記第2半導体層にMISトランジスタを形成する工程と、を含み、
前記工程(f)において使用される前記レーザーは、前記第2半導体層を通過し、前記第1非晶質層を結晶化することができる波長のレーザーであることを特徴とする人工網膜の製造方法。

【請求項4】
前記工程(c)の前、または前記工程(d)の前に、前記第1非晶質層をパターニングすること、を含むことを特徴とする請求項3に記載の人工網膜の製造方法。

【請求項5】
前記レーザーの波長は、500nm~1600nmであることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の人工網膜の製造方法。

【請求項6】
前記レーザーは、YAGレーザーの二倍波であることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の人工網膜の製造方法。

【請求項7】
前記工程(f)は、前記第1非晶質層に注入された不純物を活性化すること、を含むことを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の人工網膜の製造方法。

【請求項8】
請求項1~7の少なくとも何れか1項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする人工網膜。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2006262746thum.jpg
出願権利状態 登録
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