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磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法 コモンズ 外国出願あり

国内特許コード P010000206
整理番号 U1998P069
掲載日 2002年9月30日
出願番号 特願平11-040804
公開番号 特開2000-239887
登録番号 特許第3049315号
出願日 平成11年2月19日(1999.2.19)
公開日 平成12年9月5日(2000.9.5)
登録日 平成12年3月31日(2000.3.31)
発明者
  • 浅井 滋生
  • 佐々 健介
  • 谷口 貴久
出願人
  • 学校法人名古屋大学
発明の名称 磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法 コモンズ 外国出願あり
発明の概要 磁性材料に用いられるコバルト系合金などの強磁性体及び非磁性体について、磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法に関する発明である。電解状態(イオン状態)の物質を基板上に電析または無電解析出させる際に、析出膜の所望結晶方位に応じて、基板の設置姿勢および電析または無電解析出環境に対する磁場の印加方向を選択する。電析または無電解析出した物質の結晶は磁化率の大きい結晶方位の方向が印加磁場の方向と平行に配列して基板上に電析または無電解析出する。基板上で電析または無電解析出する物質が望ましい結晶方向に配向するように磁場を印加すると、所望方位の析出膜が得られる。電解状態の物質を基板上に電析または無電解析出させるに際し、基板直上に流動抑制多孔質板を設置した上で、析出膜における所望結晶方位に応じて、基板の設置姿勢および電析または無電解析出環境に対する磁場の印加方向を選択し、液相の流動を抑制して電析または無電解処理を行うと、結晶方位の配向性を一層向上させることができる。また、弱磁性体や反磁性体であっても磁気異方性を有するので、弱磁性体または反磁性体である物質を、磁場による電析または無電解析出膜を作成できる。
従来技術、競合技術の概要 基板上に薄膜を成長させる方法として、湿式法である電析法や無電解析出法、および乾式法であるスパッタリング法やPVD,CVD等が知られている。前者の方法は、例えば金属を電解して、電解液中でイオン状態とし、基板上に電析または無電解析出させる方法である。この際、析出膜の結晶方位を制御する方法としては、例えば(1) 基板を介して電析・無電解析出膜に応力を作用させる方法(2) 基板材料の結晶方位に電析・無電解析出する金属の結晶方位を揃える方法(3) 過電圧の変化により、電析する金属の結晶方位を制御する方法等が知られている。(1) の方法は、基板と電析・無電解析出膜との熱膨張率に差がある場合に、成膜過程において基板に応力が生じる場合等である。(2)の方法は、一般にエピタキシャル法として知られている。(3)の方法は、電析容易軸が過電圧によって異なることを利用するもので、例えばZn電析では、過電圧が低い程c軸配向し、過電庄の増加に伴いa、b軸配向する。その他、電析・無電解析出膜の結晶方位を制御する方法としては、基板の温度、液相の温度および液相の流動を制御する方法等も知られている。しかし、これらの方法では特定の物質に限られるという問題があった。また、一般に、電析・無電解析出膜の成長方法では、通常、熱力学的に安定な結晶方位を有する電析・無電解析出膜を成長させることはできるが、それ以外の特定の結晶方位に配列した電析・無電解析出膜を成長させることができなかった。
産業上の利用分野 磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法
特許請求の範囲 【請求項1】 電解状態の物質を基板上に電析または無電解析出させるに際し、電析または無電解析出環境に対して所定の方向の磁場を印加することを特徴とする、磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法。

【請求項2】 電解状態の物質を基板上に電析または無電解析出させるに際し、基板直上に流動抑制多孔質板を設置した上で、電析または無電解析出環境に対して所定の方向の磁場を印加することを特徴とする、磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法。

【請求項3】 請求項1または2において、物質が、弱磁性体または反磁性体であることを特徴とする、磁場による電析または無電解析出膜の結晶方位制御方法。
産業区分
  • 表面処理
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中
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