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ラメラリンサルフェートおよび関連化合物の製造方法

国内特許コード P120007130
整理番号 17063
掲載日 2012年3月30日
出願番号 特願2006-031723
公開番号 特開2007-210927
登録番号 特許第4982842号
出願日 平成18年2月8日(2006.2.8)
公開日 平成19年8月23日(2007.8.23)
登録日 平成24年5月11日(2012.5.11)
発明者
  • 岩尾 正倫
  • 石橋 郁人
  • 福田 勉
  • 山口 智裕
出願人
  • 国立大学法人 長崎大学
発明の名称 ラメラリンサルフェートおよび関連化合物の製造方法
発明の概要

【課題】ラメラリンα-20サルフェートまたはその類縁体の柔軟性が高く、実用的な製造方法を提供すること。
【解決手段】化合物(II)と化合物(III)を反応させて化合物(IV)を得、次いで化合物(V)と反応させて化合物(VI)を得、次いでPの選択的脱保護、加水分解、脱炭酸、酸化閉環および酸化を経てラメラリン化合物(XI)を得、次いでPの選択的脱保護、硫酸エステル化、Pの選択的脱保護およびPの脱保護を経て化合物(I)を得る。

(式中の記号は明細書に定義したとおりである。)
【選択図】 なし

従来技術、競合技術の概要


ヒト免疫不全ウィルス(HIV)などのレトロウィルスの複製には、逆転写酵素、プロテアーゼ、インテグラーゼの三種の酵素が必須である。このうち前二種の酵素の阻害剤はエイズ治療に広く使用されている。しかしながら、これらの阻害剤に対する耐性ウィルスが出現するに至り、新たにインテグラーゼ阻害を作用機序とする新規抗HIV剤の開発が求められている。インテグラーゼはヒトの細胞には存在しないため、インテグラーゼの選択的阻害剤は、従来の抗HIV剤に比較して副作用の少ないエイズ治療薬となる可能性が高いが、いまだ医薬として認可されたインテグラーゼ阻害剤は存在せず、早急な開発が求められている。



下記式で表されるラメラリンα20-サルフェートは、米国スクリプス海洋研究所のFaulknerらによってアラビア海産ホヤから単離された天然物である。この化合物は、選択的なインテグラーゼ阻害活性を示すばかりでなく、実際のHIVの増殖も阻害する(IC50=8μM)。また細胞毒性は低く(LD50=274μM)、安全性の高い新規抗HIV剤のリード化合物と考えられている(非特許文献1)。



【化学式1】





しかしながら本化合物を天然のホヤから大量に得ることは困難であるため、天然由来の化合物からの誘導化は現実的ではない。従って、新規抗HIV剤開発の観点から、効率的で、各種類縁体への展開が容易に行える、柔軟性の高い化学合成法の開発が求められている。




【非特許文献1】Journal of Medicinal Chemistry, 1999, vol. 42, p.1901-1907

【非特許文献2】Bioorganic & Medicinal Chemistry, 2002, vol. 10, p.3285-3289

【非特許文献3】Tetrahedron Letters, 2003, vol. 44, p.4443-4446

産業上の利用分野


本発明は、インテグラーゼ阻害活性を有し、抗レトロウィルス剤として有望なラメラリン類の製造方法に関する。詳細には、ラメラリンα20-サルフェートおよびその関連化合物の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
一般式(IV)
【化学式1】


(式中、A環およびB環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Rはハロゲン化されていてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいアラルキル基を示し、Xはハロゲン原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基または置換基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ基を示し、Pは水酸基保護基を示す。)で表される化合物と、一般式(V)
【化学式2】


(式中、C環は置換基を有していてもよく、Rは水素原子、ハロゲン化されていてもよい低級アルキル基を示すか、あるいは互いに結合して環を形成してもよい。PはPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示し、PはPおよびPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示す。)で表される化合物を遷移金属触媒の存在下、反応させることを特徴とする、一般式(VI)
【化学式3】


(式中、各記号は前記と同義である。)で表される化合物の製造方法(ここで、P、P及びPは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれる。)

【請求項2】
がイソプロピル基であり、Pがベンジル基であり、Pがメトキシメチル基である、請求項1記載の製造方法。

【請求項3】
一般式(VI)
【化学式4】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Rはハロゲン化されていてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいアラルキル基を示し、Pは水酸基保護基を示し、PはPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示し、PはPおよびPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示す。)で表される化合物のPを選択的に脱保護し、分子内でエステル交換反応を行いラクトン環を形成することを特徴とする、一般式(VII)
【化学式5】


(式中、各記号は前記と同義である。)で表される化合物の製造方法(ここで、P、P及びPは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれる。)

【請求項4】
がイソプロピル基であり、Pがベンジル基であり、Pがメトキシメチル基である、請求項3記載の製造方法。

【請求項5】
一般式(VII)
【化学式6】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Rはハロゲン化されていてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいアラルキル基を示し、Pは水酸基保護基を示し、PはPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示す。)で表される化合物を加水分解することを特徴とする、一般式(VIII)
【化学式7】


(式中、各記号は前記と同義である。)で表される化合物の製造方法(ここで、P及びPは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれる。)

【請求項6】
がイソプロピル基であり、Pがベンジル基である、請求項5記載の製造方法。

【請求項7】
一般式(VIII)
【化学式8】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Pは水酸基保護基を示し、PはPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示す。)で表される化合物を脱炭酸することを特徴とする、一般式(IX)
【化学式9】


(式中、各記号は前記と同義である。)で表される化合物の製造方法(ここで、P及びPは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれる。)

【請求項8】
がイソプロピル基であり、Pがベンジル基である、請求項7記載の製造方法。

【請求項9】
一般式(IX)
【化学式10】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Pは水酸基保護基を示し、PはPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示す。)で表される化合物を酸化閉環することを特徴とする、一般式(X)
【化学式11】


(式中、各記号は前記と同義である。)で表される化合物の製造方法(ここで、P及びPは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれる。)

【請求項10】
がイソプロピル基であり、Pがベンジル基である、請求項9記載の製造方法。

【請求項11】
一般式(X)
【化学式12】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Pは水酸基保護基を示し、PはPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示す。)で表される化合物を酸化することを特徴とする、一般式(XI)
【化学式13】


(式中、各記号は前記と同義である。)で表される化合物の製造方法(ここで、P及びPは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれる。)

【請求項12】
がイソプロピル基であり、Pがベンジル基である、請求項11記載の製造方法。

【請求項13】
一般式(XI)
【化学式14】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Pは水酸基保護基を示し、PはPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示す。)で表される化合物のPを選択的に脱保護することを特徴とする、一般式(XII)
【化学式15】


(式中、各記号は前記と同義である。)で表される化合物の製造方法(ここで、P及びPは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれる。)

【請求項14】
がイソプロピル基であり、Pがベンジル基である、請求項13記載の製造方法。

【請求項15】
一般式(XII)
【化学式16】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Pは水酸基保護基を示す。)で表される化合物を、一般式(XIII)
【化学式17】


(式中、PはPが脱保護される条件で脱保護されないスルホン酸保護基を示す。)で表される化合物と反応させることを特徴とする、一般式(XIV)
【化学式18】


(式中、各記号は前記と同義である。)で表される化合物の製造方法(ここで、Pは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれ、Pは、2,2,2-トリクロロエチル基及び2-(トリメチルシリル)エチル基から選ばれる。)

【請求項16】
がイソプロピル基であり、Pが2,2,2-トリクロロエチル基である、請求項15記載の製造方法。

【請求項17】
一般式(XIV)
【化学式19】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Pは水酸基保護基を示し、PはPが脱保護される条件で脱保護されないスルホン酸保護基を示す。)で表される化合物のPを選択的に脱保護することを特徴とする、一般式(XV)
【化学式20】


(式中、各記号は前記と同義である。)で表される化合物の製造方法(ここで、Pは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれ、Pは、2,2,2-トリクロロエチル基及び2-(トリメチルシリル)エチル基から選ばれる。)

【請求項18】
がイソプロピル基であり、Pが2,2,2-トリクロロエチル基である、請求項17記載の製造方法。

【請求項19】
一般式(XV)
【化学式21】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Pはスルホン酸保護基を示す。)で表される化合物のPを脱保護することを特徴とする、一般式(I)
【化学式22】


(式中、各記号は前記と同義である。)で表される化合物またはその塩の製造方法(ここで、Pは、2,2,2-トリクロロエチル基及び2-(トリメチルシリル)エチル基から選ばれる。)

【請求項20】
が2,2,2-トリクロロエチル基である、請求項19記載の製造方法。

【請求項21】
請求項1、3、5、7、9、11、13、15、17および19記載の製造方法から選ばれる少なくとも一つの方法を含むことを特徴とする、一般式(I)
【化学式23】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい。)で表される化合物またはその塩の製造方法。

【請求項22】
請求項1、3、5、7、9、11、13、15、17および19記載の製造方法を含むことを特徴とする、一般式(I)
【化学式24】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい。)で表される化合物またはその塩の製造方法。

【請求項23】
一般式(VI)
【化学式25】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Rはハロゲン化されていてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいアラルキル基を示し、Pは水酸基保護基を示し、PはPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示し、PはPおよびPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示し、ここで、P、P及びPは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれる。)で表される化合物。

【請求項24】
A環、B環およびC環はそれぞれ独立に、アルコキシ基、ハロゲン化されていてもよいアルキル基およびハロゲン原子から選ばれる置換基を1~3個有していてもよく、Pがイソプロピル基であり、Pがベンジル基であり、Pがメトキシメチル基である、請求項23記載の化合物。

【請求項25】
一般式(VII’)
【化学式26】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Rは水素原子、カルボキシル基または-CO(ここで、Rはハロゲン化されていてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいアラルキル基を示す。)を示し、Pは水酸基保護基を示し、PはPが脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基を示し、ここで、P及びPは、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれる。)で表される化合物。

【請求項26】
A環、B環およびC環はそれぞれ独立に、アルコキシ基、ハロゲン化されていてもよいアルキル基およびハロゲン原子から選ばれる置換基を1~3個有していてもよく、Pがイソプロピル基であり、Pがベンジル基である、請求項25記載の化合物。

【請求項27】
一般式(I’)
【化学式27】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、- - - -
単結合または二重結合を示し、P1’は水酸基保護基を示し、P2’は水素原子、P1’が脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基または-SO(ここで、PはP1’が脱保護される条件で脱保護されないスルホン酸保護基を示す。)を示し、ここで、P及びP1’が脱保護されない条件で脱保護可能な水酸基保護基は、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、2-(トリメチルシリル)エトキシメチル基、メチルチオメチル基、フェニルチオメチル基、2,2-ジクロロ-1,1-ジフルオロエチル基、テトラヒドロピラニル基、フェナシル基、p-ブロモフェナシル基、シクロプロピルメチル基、アリル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、tert-ブチル基、ベンジル基、2,6-ジメチルベンジル基、4-メトキシベンジル基、o-ニトロベンジル基、2,6-ジクロロベンジル基、4-(ジメチルアミノカルボニル)ベンジル基、9-アントリルメチル基、4-ピコリル基、へプタフルオロ-p-トリル基、テトラフルオロ-4-ピリジル基、トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、アセチル基、レブリノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、9-フルオレンカルボニル基、メトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ビニルオキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ジメチルホスホニル基、ジメチルチオホスホニル基、メタンスルホニル基、及びp-トルエンスルホニル基から選ばれ、Pは、2,2,2-トリクロロエチル基及び2-(トリメチルシリル)エチル基から選ばれる。)で表される化合物またはその薬学的に許容される塩。

【請求項28】
A環、B環およびC環はそれぞれ独立に、アルコキシ基、ハロゲン化されていてもよいアルキル基およびハロゲン原子から選ばれる置換基を1~3個有していてもよく、P1’がイソプロピル基であり、P2’が水素原子、ベンジル基または2,2,2-トリクロロエトキシスルホニル基である、請求項27記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。

【請求項29】
一般式(XV)
【化学式28】


(式中、A環、B環およびC環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよく、Pはスルホン酸保護基を示し、ここで、Pは、2,2,2-トリクロロエチル基及び2-(トリメチルシリル)エチル基から選ばれる。)で表される化合物またはその薬学的に許容される塩。

【請求項30】
A環、B環およびC環はそれぞれ独立に、アルコキシ基、ハロゲン化されていてもよいアルキル基およびハロゲン原子から選ばれる置換基を1~3個有していてもよく、Pが2,2,2-トリクロロエチル基である、請求項29記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
産業区分
  • 有機化合物
  • 薬品
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中
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