TOP > 国内特許検索 > 薄膜積層体及びそれを用いた有機トランジスタ

薄膜積層体及びそれを用いた有機トランジスタ 外国出願あり

国内特許コード P120007385
整理番号 PG06E28PCTJP
掲載日 2012年4月23日
出願番号 特願2009-506238
登録番号 特許第5305461号
出願日 平成20年2月14日(2008.2.14)
登録日 平成25年7月5日(2013.7.5)
国際出願番号 JP2008052394
国際公開番号 WO2008117579
国際出願日 平成20年2月14日(2008.2.14)
国際公開日 平成20年10月2日(2008.10.2)
優先権データ
  • 特願2007-080314 (2007.3.26) JP
発明者
  • 岡田 裕之
  • 中 茂樹
出願人
  • 国立大学法人富山大学
発明の名称 薄膜積層体及びそれを用いた有機トランジスタ 外国出願あり
発明の概要

【課題】分子層厚さレベルで制御された第1の有機層と、第1の有機層とは異なる第2の有機層又は無機系の極薄絶縁層との積層構造を形成することで、従来の半導体層成膜では樹枝状構造等になってしまい均一性が確保できない膜構造を、平坦膜とすることが可能となる薄膜積層体の提供を目的とする。
【解決手段】第1の有機薄膜と、第2の有機薄膜又は無機系の絶縁性薄膜とを交互に複層積層してあることを特徴とする。
【選択図】 図13

従来技術、競合技術の概要


大面積化が可能で、超薄型及び軽量化を図ることができ、可撓性基材に配置することでフレキシブル性を有する等の特徴を有する有機エレクトロニクス技術が注目されている。
そのスイッチングデバイスとしては有機トランジスタが挙げられ、現在低分子有機材料系ではペンタセンを中心に検討が進められている。
低分子有機材料を用いたトランジスタ系では、非晶質状態で移動度1cm/Vs程度の高移動度を示す系の報告が無く、また単結晶形成も出来ず、専ら多結晶状態の制御により高移動度化が成されている。
過去、高移動度化の目覚ましい進展としては、1997年以降のPennsylvania大学によるペンタセントランジスタの検討が挙げられる。
(非特許文献1:Y.-Y.Lin,D.J.Gundlach,S.F.Nelson and T.N.Jackson:IEEE Trans.Electron Devices,44(8),1325(1997).)
特性例として 移動度1.5cm/Vs、オンオフ比10、サブスレッショルドスロープ0.5 V/decadeが報告されている。
ペンタセン(pentacene)は、π共役系分子構造を有するポリアセン化合物であり、π電子による移動度が高く、半導体特性を示す。
しかし、ペンタセンは、その平面分子構造から結晶化が難しく、数百Åの膜形成では、一般に数μmに渡る樹枝形状のペンタセンが成長し、細かに分子がステップした構造になり、安定した超格子構造膜を得ることが難しかった。
従って、ペンタセン有機半導体等で厚膜形成を行おうとすると、初期の二次元的成長から三次元的成長に切り替わり、上部では連続した半導体層形成が難しかった。




【非特許文献1】Y.-Y.Lin,D.J.Gundlach,S.F.Nelson and T.N.Jackson:IEEE Trans.Electron Devices,44(8),1325(1997).

産業上の利用分野


本発明は有機エレクトロルミネンス(EL)素子、有機光電変換素子、有機トランジスタ等の有機エレクトロニクスデバイス分野に応用が可能な薄膜積層体に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
半導体部は第1の有機薄膜と第2の有機薄膜とを交互に積層し、第1の有機薄膜が少なくとも2層以上有し、
第1の有機薄膜はペンタセンの厚み100Å以下の薄膜であり、第2の有機薄膜は非晶質性の有機薄膜であることを特徴とする有機トランジスタ。

【請求項2】
ペンタセンの薄膜は2分子層の薄膜であり、非晶質性の有機薄膜はテトラアリールジアミン類の薄膜であることを特徴とする請求項1記載の有機トランジスタ。

【請求項3】
テトラアリールジアミン類の薄膜はα-NPDの薄膜であることを特徴とする請求項2記載の有機トランジスタ。
産業区分
  • 固体素子
  • 高分子化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

JP2009506238thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記までご連絡ください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close