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検出装置の製造方法 新技術説明会

国内特許コード P120007570
掲載日 2012年5月23日
出願番号 特願2012-062597
公開番号 特開2013-195233
登録番号 特許第5897362号
出願日 平成24年3月19日(2012.3.19)
公開日 平成25年9月30日(2013.9.30)
登録日 平成28年3月11日(2016.3.11)
発明者
  • 原 和裕
  • 澤出 憲
出願人
  • 学校法人東京電機大学
発明の名称 検出装置の製造方法 新技術説明会
発明の概要 【課題】薄膜方式の検出装置において、大型になることを抑制し、かつ検出感度を高くする。
【解決手段】第1検出膜120は基板110上に形成されている。第2検出膜130は、第1検出膜120から離間しており、かつ第1検出膜120と対向して配置されている。第1検出膜120と第2検出膜130の間は中空になっている。第1支持部材140は、第2検出膜130を第1検出膜120から離間した状態で支持する。2つの導電部材150は、第1検出膜120及び第2検出膜130を並列に接続している。2つの導電部材150は、互いに離間している。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要


空気中の二酸化炭素など、特定の成分を検出する装置としては、例えば特許文献1,2に記載されているように、薄膜ガスセンサがある。薄膜ガスセンサは、絶縁性の基板上に、検知膜としての金属酸化物の薄膜を体積法により形成するものである。

産業上の利用分野


本発明は、特定の成分を検出する検出装置及び検出装置の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
基板上に第1検出膜を形成する工程と、
前記第1検出膜上に犠牲膜を形成する工程と、
前記犠牲膜上に、第2検出膜を形成する工程と、
前記第1検出膜、前記犠牲膜、及び前記第2検出膜の積層膜の側部に第1支持部材を設けるとともに、前記側部に、第1導電部材及び第2導電部材を互いに離間して設ける工程と、
前記犠牲膜を除去する工程と、
を備え
前記第2検出膜を形成する工程の後に、前記第2検出膜を熱処理して前記第2検出膜を多孔質にする工程を有し、
前記第2検出膜を多孔質にする工程は、前記犠牲膜を除去する工程の前に行われ、
前記犠牲膜を除去する工程において、前記犠牲膜をウェットエッチングにより部分的に除去することにより、前記第1検出膜と前記第2検出膜の間に、前記第2検出膜を前記第1検出膜上で支持する第2支持部材を形成する検出装置の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2012062597thum.jpg
出願権利状態 登録
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