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金型製造方法およびその方法により形成された金型

国内特許コード P120007706
整理番号 WASEDA-1038
掲載日 2012年6月22日
出願番号 特願2010-064194
公開番号 特開2011-194720
登録番号 特許第5665169号
出願日 平成22年3月19日(2010.3.19)
公開日 平成23年10月6日(2011.10.6)
登録日 平成26年12月19日(2014.12.19)
発明者
  • 本間 敬之
  • 斎藤 美紀子
出願人
  • 学校法人早稲田大学
発明の名称 金型製造方法およびその方法により形成された金型
発明の概要 【課題】ナノサイズの微細構造を有する金型を容易に製造することができる金型製造方法およびその方法により形成された金型を提供する。
【解決手段】微細構造を有した無機薄膜1上にアミノ基、メルカプト基、チオール基、ジスルフィド基、シアノ基、ハロゲン基、スルフォン酸基の1つ以上を含む官能基を有するシランカップリング剤から構成された自己組織化膜2を形成するステップと、前記自己組織化膜2上に通電層3を形成する通電層形成ステップと、前記通電層3上に電解めっきにより金属膜4を形成するステップとを有することを特徴とする。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要


従来の金型作製方法を図12に示す。ガラス基板またはSi基板100にレジストを塗布し、紫外線、電子線、X線などを用い、レジストにパターン101を形成する。この上に通電層102をスパッタリング法用い、形成する(例えば、特許文献1)。次いで、通電層102上にNiめっきを施して金属膜103を形成し、当該金属膜103を離型して金型104を得る。



上記従来の方法によれば、サブミクロンレベルの微細構造であれば、ホールへのめっきの埋め込みなど支障なく行うことができる。

産業上の利用分野


本発明は、金型製造方法およびその方法により形成された金型に関し、特に微細構造を有する金型に適用して好適なものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
微細構造を有した無機薄膜上に金属膜を形成し、前記金属膜を前記無機薄膜から分離して金型を形成する金型製造方法において、
前記無機薄膜上に、3-[2-(2-アミノエチルアミノ)エチルアミノ]プロピルトリメトキシシラン(TAS)、3-アミノプロピルトリメトキシシラン(APTMS)及びメルカプトプロピルトリメトキシシラン(MPTMS)から選ばれるシランカップリング剤を含有する自己組織化膜を形成するステップと、
前記自己組織化膜上に通電層を形成する通電層形成ステップと
前記通電層上に前記金属膜を形成するステップと
を有することを特徴とする金型製造方法。

【請求項2】
前記通電層形成ステップは、
前記自己組織化膜上に金属イオン層を形成するステップと、
前記金属イオン層を還元溶液に浸漬させ還元させるステップと、
前記金属イオン層上に薄膜めっき層を形成するステップと
を有することを特徴とする請求項1記載の金型製造方法。

【請求項3】
前記金属イオン層は、Au、Pd、Ag、Pt、Bi、Pbのいずれか1以上を含む溶液に前記無機薄膜上に形成した前記自己組織化膜を浸漬させることより形成されることを特徴とする請求項2記載の金型製造方法。

【請求項4】
微細構造を有した無機薄膜上に金属膜を形成し、前記金属膜を前記無機薄膜から分離して形成される金型において、
前記無機薄膜上に、3-[2-(2-アミノエチルアミノ)エチルアミノ]プロピルトリメトキシシラン(TAS)、3-アミノプロピルトリメトキシシラン(APTMS)及びメルカプトプロピルトリメトキシシラン(MPTMS)から選ばれるシランカップリング剤を含有する自己組織化膜を形成し、
前記自己組織化膜上に金属イオン層を有する通電層を形成し、
前記通電層上に電解めっきにより金属膜を形成した
ことを特徴とする金型。

【請求項5】
前記通電層は、前記金属イオン層上に無電解Niめっきにより形成した薄膜めっき層を有することを特徴とする請求項4記載の金型。

【請求項6】
前記金属膜は、電解Niめっきにより形成されたことを特徴とする請求項4または5記載の金型。

【請求項7】
前記金属膜と前記無機薄膜との密着力が10MPa~50MPaであることを特徴とする請求項4~6のいずれか一項に記載の金型。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2010064194thum.jpg
出願権利状態 登録
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