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薄膜製造方法、それを用いた半導体デバイスの製造方法およびそれらに用いられる半導体薄膜部品

国内特許コード P120008101
整理番号 11039
掲載日 2012年10月29日
出願番号 特願2011-176335
公開番号 特開2013-041892
出願日 平成23年8月11日(2011.8.11)
公開日 平成25年2月28日(2013.2.28)
発明者
  • 東 清一郎
  • 酒池 耕平
出願人
  • 国立大学法人広島大学
発明の名称 薄膜製造方法、それを用いた半導体デバイスの製造方法およびそれらに用いられる半導体薄膜部品
発明の概要

【課題】高品質な半導体薄膜を製造する薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法は、a-Si膜等の半導体薄膜を第1の基板上に堆積する工程S1と、第1の基板をエッチングして第1の基板と半導体薄膜との間に中空部を形成する工程S2と、半導体薄膜に第2の基板を接触させる工程S3と、半導体薄膜に第2の基板を押し付け、または半導体薄膜が溶融する強度を有するレーザ光を半導体薄膜に照射する工程S4と、第1の基板を半導体薄膜から引き離す工程S5とを備える。
【選択図】図9

従来技術、競合技術の概要


現在、フレキシブル基板上での薄膜製造方法として、有機系機能溶液を用いたインクジェット方式等の様々な材料選定または堆積方法が盛んに研究されている(非特許文献1)。

産業上の利用分野


この発明は、薄膜製造方法、それを用いた半導体デバイスの製造方法およびそれらに用いられる半導体薄膜部品に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
第1の基板上に半導体薄膜を堆積する第1の工程と、
前記第1の基板をエッチングして前記第1の基板と前記半導体薄膜との間に中空部を形成する第2の工程と、
前記第2の工程後、前記半導体薄膜に第2の基板を接触させる第3の工程と、
前記半導体薄膜に前記第2の基板を押し付ける第4の工程と、
前記第1の基板を半導体薄膜から引き離す第5の工程とを備える薄膜製造方法。

【請求項2】
第1の基板上に半導体薄膜を堆積する第1の工程と、
前記第1の基板をエッチングして前記第1の基板と前記半導体薄膜との間に中空部を形成する第2の工程と、
前記第2の工程後、前記半導体薄膜に第2の基板を接触させる第3の工程と、
前記半導体薄膜が溶融する強度を有するレーザ光を前記半導体薄膜に照射する第4の工程と、
前記第1の基板を半導体薄膜から引き離す第5の工程とを備える薄膜製造方法。

【請求項3】
前記半導体薄膜は、非晶質相からなる、請求項1または請求項2に記載の薄膜製造方法。

【請求項4】
前記第4の工程において、前記レーザ光が前記半導体薄膜に照射され、
前記第5の工程において、前記第1の基板は、結晶薄膜から引き離される、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の薄膜製造方法。

【請求項5】
前記第5の工程後、前記半導体薄膜にレーザ光を照射する第6の工程を更に備え、
前記第4の工程において、前記第2の基板は、前記半導体薄膜に押し付けられる、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の薄膜製造方法。

【請求項6】
第1の基板上に堆積された第1の半導体薄膜を第2の基板上に転写して結晶相からなる第2の半導体薄膜を製造する薄膜製造工程と、
前記第2の半導体薄膜を薄膜トランジスタのチャネル層または太陽電池の発電層に用いてデバイスを作製するデバイス作製工程とを備え、
前記薄膜製造工程は、請求項1から請求項5のいずれかに記載の薄膜製造方法からなる、半導体デバイスの製造方法。

【請求項7】
基板と、
前記基板上に堆積された半導体薄膜とを備え、
前記基板は、前記半導体薄膜を支持する支持部材を含み、
前記基板と前記半導体薄膜との間には、中空部が形成されている、半導体薄膜部品。

【請求項8】
前記半導体薄膜は、非晶質相からなる、請求項7に記載の半導体薄膜部品。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2011176335thum.jpg
出願権利状態 審査請求前


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