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透明導電膜作成方法 新技術説明会

国内特許コード P130008691
整理番号 23‐9
掲載日 2013年3月14日
出願番号 特願2011-166506
公開番号 特開2013-030399
登録番号 特許第5943318号
出願日 平成23年7月29日(2011.7.29)
公開日 平成25年2月7日(2013.2.7)
登録日 平成28年6月3日(2016.6.3)
発明者
  • 山田 容士
  • 一柳 成治
  • 久保 衆伍
  • 北川 裕之
  • 舩木 修平
出願人
  • 国立大学法人島根大学
発明の名称 透明導電膜作成方法 新技術説明会
発明の概要 【課題】既知のNTO膜より低抵抗な透明伝導膜の製造方法および透明電動膜素材を提供すること。
【解決手段】ガラス基板等に導電性透明酸化亜鉛膜とNTO膜とをこの順に形成したのちにアニール処理することを特徴とする透明導電膜の作成方法である。導電性透明酸化亜鉛は、GZOとすることができる。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要


ITOは優れた透明導電膜であるが、Inが希少元素であるため、その代替素材の開発が進められている。ZnO系透明導電膜(例えば、GZO:GaがドープされたZnO)やTiO系透明導電膜(例えば、NTO:NbがドープされたTiO)は、有力候補の一つである。



しかしながら、ZnO系透明導電膜は、化学的に必ずしも安定でなく、その後の電極パターン処理等の既存のプロセスにおいて、透明性を消失するなどの技術的困難がともない、また、NTO膜は、化学的に安定であるもののITO膜に比べて数倍抵抗値が高く、より低抵抗の素材開発が進められている。

産業上の利用分野


本発明は、透明導電膜作成方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
透明基板にGZO膜とNTO膜とをこの順に形成したのちにアニール処理し、同基板にGZO単層膜を形成してアニール処理したものより低抵抗化した膜を得ることを特徴とする透明導電膜の作成方法。

国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2011166506thum.jpg
出願権利状態 登録
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