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梨地面の形成方法、樹脂成形型及び低密着性材料 コモンズ

国内特許コード P130008959
整理番号 11048
掲載日 2013年4月3日
出願番号 特願2012-090936
公開番号 特開2013-215869
登録番号 特許第6049003号
出願日 平成24年4月12日(2012.4.12)
公開日 平成25年10月24日(2013.10.24)
登録日 平成28年12月2日(2016.12.2)
発明者
  • 東 大助
  • 福澤 康
  • 山下 健
  • 花岡 大生
  • 竹内 和俊
出願人
  • TOWA株式会社
  • 国立大学法人長岡技術科学大学
発明の名称 梨地面の形成方法、樹脂成形型及び低密着性材料 コモンズ
発明の概要 【課題】樹脂成形型等に優れた離型性・防汚性を有する梨地面を形成することが可能な、極めて実用性に優れた梨地面の形成方法の提供。
【解決手段】
絶縁性セラミックスに梨地面を形成する梨地面の形成方法であって、絶縁性セラミックスの所定の面を放電加工により表面粗さが0.05~20μmで、スキューネスが-2.00~+2.00の梨地面に形成する。
【選択図】なし
従来技術、競合技術の概要


一般に放電加工は、加工油中で金属等の導電性の被加工物に導電性の工具電極を非接触状態に近接させ、この被加工物と工具電極との間に電圧を印加することで、極間の狭いギャップに短い周期で繰り返しアーク放電を生じさせ、被加工物を加熱、溶解、除去する加工手段である。



しかし、従来、放電加工が行えるのは金属等の導電性を有する材料に限られ、セラミックス等の絶縁材料や、炭化シリコンなどの半導体材料等の非導電性材料では電気的な導通が悪く、放電加工は不可能とされてきた。



これに対し、本発明者らは、被加工物である絶縁性セラミックスの表面に導電性材料を密着若しくは蒸着させ、この被加工物と工具電極との間に電圧を印加して放電加工を行う補助電極法を提案した(特許文献1)。



この特許文献1の方法は、絶縁性材料や半導体材料のような非導電性材料の被加工物の被加工面に導電性材料(以下、この被加工物に設けた導電性材料を補助電極といい、これを用いた特許文献1の方法を補助電極法という。)を設けて加工油に浸漬し、工具電極をこの補助電極に非接触状態で対置させ、この工具電極と補助電極との間に電圧を印加することで、被加工物の表面の一部を融解し、この融解と加工油の冷却作用による再凝固とを繰り返させることで被加工物への放電加工を可能としたものである。



詳細には、次の通りである。



この放電加工の初期には、工具電極と補助電極との間で行われる放電により、工具電極に対向する補助電極(導電性材料)の一部分が溶解される(補助電極の除去過程)。次いで、更に放電加工が進むと、被加工物の加工表面から補助電極が除去され、加工部分が絶縁物である被加工物の部分に達するが、この加工中に加工油や被加工物が分解して生じた炭化物が、除去された導電性材料に代わって導電性の炭化膜を形成するようになる。この新たに形成された導電性の炭化膜と、被加工物表面上の除去されずに残った補助電極との間で導通が維持できるようになるため、補助電極と工具電極との間で放電が維持され放電加工が可能となる。

産業上の利用分野


本発明は、放電加工により梨地面を形成する方法、樹脂成形型及び低密着性材料に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
絶縁性セラミックスにエポキシ樹脂との剥離性が良好な梨地面を形成するための梨地面の形成方法であって、絶縁性セラミックスのエポキシ樹脂との接触面を放電加工により表面粗さが0.05~20μmで、且つ、スキューネスが+0.40~+1.50である梨地面に形成することを特徴とする梨地面の形成方法。

【請求項2】
請求項1記載の梨地面の形成方法において、前記絶縁性セラミックスの前記接触面の表面に導電性材料を設け、この絶縁性セラミックスと工具電極との間に電圧を印加して放電加工を行う補助電極法を用いて前記放電加工を行うことを特徴とする梨地面の形成方法。

【請求項3】
エポキシ樹脂が充填される樹脂成形型であって、型面が請求項記載の梨地面の形成方法を用いて形成された梨地面であることを特徴とする樹脂成形型。

【請求項4】
エポキシ樹脂が接触る低密着性材料であって、表面が請求項記載の梨地面の形成方法を用いて形成された梨地面であることを特徴とする低密着性材料。
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 登録
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