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グラフェン配線構造

国内特許コード P130009022
整理番号 11001
掲載日 2013年4月9日
出願番号 特願2011-163193
公開番号 特開2012-144421
登録番号 特許第5783530号
出願日 平成23年7月26日(2011.7.26)
公開日 平成24年8月2日(2012.8.2)
登録日 平成27年7月31日(2015.7.31)
優先権データ
  • 特願2010-284762 (2010.12.21) JP
発明者
  • 成塚 重弥
  • 丸山 隆浩
出願人
  • 学校法人 名城大学
発明の名称 グラフェン配線構造
発明の概要 【課題】比較的大きな電流を流すことができる柔軟なグラフェン配線構造を提供する。
【解決手段】グラフェン配線構造10は、絶縁樹脂層12,22,32,42とグラフェン層16,26,36とが繰り返し積層されている。グラフェン層16の上下には絶縁樹脂層12,22が存在し、グラフェン層26の上下には絶縁樹脂層22,32が存在し、グラフェン層36の上下には絶縁樹脂層32,42が存在する。また、絶縁樹脂層12とグラフェン層16との間には触媒金属層14が介在し、絶縁樹脂層22とグラフェン層26との間には触媒金属層24が介在し、絶縁樹脂層32とグラフェン層36との間には触媒金属層34が介在する。触媒金属層14,24,34は、グラフェン化を促進する機能を有する。各グラフェン層16,26,36は、いずれも奇数枚(ここでは3枚)のグラフェンシートを積層したものである。
【選択図】図2
従来技術、競合技術の概要


グラフェンは、炭素原子の六員環が単層で連なって平面状になった二次元材料である。このグラフェンは、電子移動度がシリコンの100倍以上と言われている。近年、グラフェンをチャネル材料として利用したトランジスタが提案されている(特許文献1参照)。特許文献1では、絶縁基板上に、絶縁分離膜で分離された触媒膜パターンを形成し、その触媒膜パターン上にグラフェンシートを成長させたあと、そのグラフェンシートの両側にドレイン電極及びソース電極を形成すると共に、グラフェンシート上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成している。ここで、触媒膜パターンは絶縁膜で分離されているが、グラフェンシートは触媒膜パターンの端では横方向に延びることから、絶縁分離膜の両側の触媒膜パターンからグラフェンシートが延びて絶縁分離膜上でつながった構造が得られると説明されている。

産業上の利用分野


本発明は、グラフェン配線構造

特許請求の範囲 【請求項1】
絶縁樹脂層とグラフェン層とが繰り返し積層され、各グラフェン層の上下には前記絶縁樹脂層が存在する、グラフェン配線構造。

【請求項2】
前記絶縁樹脂層と前記グラフェン層との間には、グラフェン化を促進する機能を有する触媒金属層が介在する、請求項1に記載のグラフェン配線構造。

【請求項3】
各グラフェン層は、いずれも奇数枚のグラフェンシートを積層したものであるか、又は、いずれも偶数枚のグラフェンシートを積層したものである、
請求項1又は2に記載のグラフェン配線構造。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2011163193thum.jpg
出願権利状態 登録


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