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湾曲結晶の製造方法および湾曲結晶

国内特許コード P130009044
整理番号 CHUO-204
掲載日 2013年4月15日
出願番号 特願2012-147355
公開番号 特開2014-009131
出願日 平成24年6月29日(2012.6.29)
公開日 平成26年1月20日(2014.1.20)
発明者
  • 飯塚 亮
  • 坪井 陽子
出願人
  • 学校法人 中央大学
発明の名称 湾曲結晶の製造方法および湾曲結晶
発明の概要 【課題】本発明は、所望の曲率を有する湾曲結晶を低コストで得ることのできる湾曲結晶の製造方法、および、所望の曲率を有する製造コストの低い湾曲結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の湾曲結晶の製造方法は、結晶基板上に炭素系材料を直接蒸着して、前記結晶基板を湾曲させる工程を含むことを特徴とする。また、本発明の湾曲結晶は、上記の製造方法により製造されたことを特徴とするものである。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要



従来、X線光学素子やX線偏光素子などの用途に用いられる湾曲結晶の製造方法として、結晶の熱変形を利用した方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。

特許文献1に記載の製造方法によれば、Si、GeまたはSiGeからなる単結晶に対し、数千度の温度で高温加圧加工を施すことにより、該単結晶を湾曲加工して、集光効率の高い湾曲単結晶を得ることができる。





しかし、特許文献1に記載のような熱変形を利用する製造方法では、数千度という高温熱処理を行うため、電力コストが高く、また単結晶の結晶構造が破壊されるおそれがあった。

また、所期する単結晶の曲率に応じた形状の金型を用いるため、一度金型を作製すると、単結晶の曲率を自由に制御することは困難であった。従って、単結晶の曲率を変更するためには、その都度、その曲率に応じた形状の金型の作製が必要となり、コストの増大を招いていた。

さらに、熱変形を利用して湾曲させることのできる単結晶基板のサイズは、直径50mm程度であり、直径200mmといった大口径の単結晶基板を湾曲させることは困難であった。





これに対し、本発明者らは、非特許文献1、2において、CVD装置を用いて、Si単結晶基板にSiC膜を中間層として蒸着し、次いでダイヤモンドライクカーボン膜を蒸着して、該Si単結晶基板とダイヤモンドライクカーボン膜との間に発生する残留応力により、Si単結晶基板を湾曲させる技術を提案している。

この製造方法によれば、高温熱処理や金型を必要とすることなく、湾曲単結晶を製造することが可能となる。

産業上の利用分野



本発明は、湾曲結晶の製造方法および湾曲結晶に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
結晶基板上に炭素系材料を直接蒸着して、前記結晶基板を湾曲させる工程を含むことを特徴とする、湾曲結晶の製造方法。

【請求項2】
前記炭素系材料は、ダイヤモンドライクカーボンである、請求項1に記載の湾曲結晶の製造方法。

【請求項3】
前記蒸着は、化学気相成長法又は物理気相成長法により行う、請求項1又は2に記載の湾曲結晶の製造方法。

【請求項4】
前記蒸着は、プラズマ化学気相成長法により行う、請求項1~3のいずれか一項に記載の湾曲結晶の製造方法。

【請求項5】
請求項1~4のいずれか一項に記載の湾曲結晶の製造方法により製造されたことを特徴とする湾曲結晶。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2012147355thum.jpg
出願権利状態 公開
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